[發(fā)明專利]一種提高增益的放大器及其設(shè)計方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310208111.7
• 申請日: 2013-05-28
• 公開（公告）號: CN103338015B
• 公開（公告）日: 2016-11-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 胡正飛;張莉;黃敏娣
• 申請（專利權(quán)）人: 南京郵電大學(xué)
• 主分類號: H03F3/45
• 分類號: H03F3/45
• 代理公司: 南京知識律師事務(wù)所 32207
• 代理人: 汪旭東

1.一種提高增益的放大器設(shè)計方法，其特征在于，所述方法為：

主放大管為M1、M1n，M1的漏端連接到M3的柵端、M3的漏端、M4的漏端、M4n的柵端和輸出端Vout+，M1的柵端連接到Vin+，M1的源端連接到M2的漏端和M2n的柵端；差分的主放大管M1n的漏端連接到M3n的柵端、M3n的漏端、M4n的漏端、M4的柵端和輸出端Vout-，M1n的柵端連接到Vin-，M1n的源端連接到M2n的漏端和M2的柵端；

M2和M2n構(gòu)成了第一個負阻單元，M2的漏端連接到M2n的柵端和M1的源端，M2的柵端連接到M2n的漏端和M1n的源端，M2的源端連接到M5的漏端；對應(yīng)的差分管M2n的漏端連接到M2的柵端和M1n的源端，M2n的柵端連接到M2的漏端和M1的源端，M2n的源端連接到M5的漏端；

負載管M3的漏端接M3的柵端、M4的漏端、M4n的柵端，M1的漏端和Vout+，M3的柵端和漏端的接法同樣，M3的源端接電源VDD；差分的負載管M3n的漏端接M3n的柵端、M4n的漏端、M4的柵端，M1n的漏端和Vout-，M3n的柵端和漏端的接法同樣，M3n的源端接電源VDD；

M4和M4n構(gòu)成了第二個負阻單元，M4的漏端連接到M3的柵端、M3的漏端、M4n的柵端和Vout+，M4的柵端連接到M4n的漏端、M3n的漏端和柵端、M1n的漏端和Vout-，M4的源端接VDD；對應(yīng)的差分管M4n的漏端連接到M3n的柵端、M3n的漏端、M4的柵端和Vout-，M4n的柵端連接到M4的漏端、M3的漏端和柵端、M1的漏端和Vout+，M4n的源端接VDD；

尾電流源M5的漏端接M2和M2n的源端，M5的柵端接偏置電壓Vbias，M5的源端接地。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高增益的放大器設(shè)計方法，其特征在于：

所述方法增加了兩個負阻單元，其中第一個負阻單元加在主放大管的源極；第二個負阻單元和負載管并聯(lián)。

3.一種提高增益的放大器，其特征在于：所述結(jié)構(gòu)采用全差分的結(jié)構(gòu)，由一個基本的差分對結(jié)構(gòu)改進而成，在此基礎(chǔ)上增加了兩個負阻單元；其中第一個負阻單元加在主放大管的源極，增大主放大管的跨導(dǎo)；第二個負阻單元和負載管并聯(lián)，增大輸出電阻,匹配負阻單元與原MOS管的尺寸。