[發明專利]一種窄線寬電極的電子元件制造方法無效
| 申請號: | 201310207240.4 | 申請日: | 2013-05-30 |
| 公開(公告)號: | CN103325675A | 公開(公告)日: | 2013-09-25 |
| 發明(設計)人: | 鄭衛衛;吳震;戴春雷;孫峰;劉先忺 | 申請(專利權)人: | 深圳順絡電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/308 | 分類號: | H01L21/308 |
| 代理公司: | 深圳市中知專利商標代理有限公司 44101 | 代理人: | 張皋翔 |
| 地址: | 518110 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 窄線寬 電極 電子元件 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及電極,特別是涉及一種窄線寬電極的電子元件制作方法。?
背景技術
由于陶瓷基材的表面狀況的差異、印刷漿料的流變特性的差異、絲網節點與網孔位置下膜量的差異、環境溫濕度的差異,以及印刷速度、網版間隙Gap值、印刷壓力等印刷參數的差異,導致采用傳統絲網印刷工藝制作貼片元件的電極存在線寬極差大,工藝可控性差等問題。例如現有公制1005封裝的100nH貼片電感,外形尺寸為1.0×0.5×0.5mm,其內部線圈的電極線寬可設計最大線寬為50μm,線寬極差高達±5μm,即制作的電極線寬為45μm~55μm,直接導致產品電感量分散。以目前終端行業常用的±3%電感量精度進行估算,對應批次電感量合格率僅50%左右,不僅成品率低,且產量不穩定,無法滿足客戶大規模使用要求。至于公制0603封裝的100nH貼片電感,外形尺寸為0.6×0.3×0.3mm,其內部線圈電極的線寬可設計最大線寬僅為45μm,已超出傳統絲網印刷工藝所能達到的工藝極限。?
發明內容
本發明所要解決的技術問題是彌補上述現有技術的缺陷,提供一種電子元件的窄線寬電極制作方法。?
本發明的技術問題通過以下技術方案予以解決。?
這種窄線寬電極的電子元件制作方法,包括以下步驟:對制作出的電極進行疊層,形成陶瓷生坯,再對所述陶瓷生坯依次完成切割、排膠、燒結、倒角、制作端電極和電鍍,完成電子元件制作。?
這種窄線寬電極的電子元件制作方法的特點是:?
所述電極是線寬小于50μm、線寬極差在±1.5μm以內、線厚極差±1μm以內的電極,是采用光刻技術制作的光刻電極,其制作步驟如下:?
1)制作薄膜基片;?
2)涂布并制作感光基片,所述涂布是絲網印刷涂布和噴涂布中的一種,在薄膜基片表面涂布感光性金屬漿料層;?
3)制作光刻電極,所述光刻是采用設計有電極圖案的掩膜板對感光基片進行光刻。?
本發明的技術問題通過以下進一步的技術方案予以解決。?
所述步驟1)制作薄膜基片有以下子步驟:?
1·1)制備混合物粉末狀材料?
將重量百分比為35%~45%粉末狀的Al2O3和重量百分比為65%~55%的硼硅玻璃的混合制備混合物粉末狀材料;?
1·2)將制備的粉末狀材料與異丁醇的酯類溶液攪拌混合,并加入有機粘合劑和分散劑,采用球磨機攪拌,持續9h~11h形成陶瓷漿料;?
1·3)通過涂布工藝制作薄膜基片。?
所述步驟2)涂布并制作感光基片有以下子步驟:?
2·1)配備感光性金屬漿料?
所述感光性金屬漿料是日本Nirotake公司出品的型號為NP4940B1的光敏銀漿;?
2·2)將所述感光性金屬漿料涂布在薄膜基片表面制作感光基片,感光基片的感光性金屬漿料層的厚度為10μm~20μm。在能夠充分滿足電極厚度要求的前提下,感光性金屬漿料層的厚度是越薄越好,感光性金屬漿料層的厚度超過20μm,極有可能在曝光工序中出現感光性金屬漿料層底部無法固化,或在顯影工序中出現固化電極脫落的問題。?
所述步驟3)制作光刻電極有以下子步驟:?
3·1)對表面涂布的感光性金屬漿料層曝光?
所述曝光是接觸式曝光和投影式曝光中的一種,采用紫外光或高能射線照射覆蓋有電極圖案的掩膜板的感光性金屬漿料層表面制作曝光基片,感光性金屬漿料層中被照射部分的感光樹脂單體發生聚合交聯反應而固化,完成曝光,感光性金屬漿料層中被遮蔽部分保持不變;?
3·2)對曝光基片顯影,又稱進行蝕刻反應?
所述曝光基片顯影是噴淋式顯影和浸泡式顯影中的一種,曝光基片中的被照射部分發生聚合交聯反應而固化,不溶于顯影液得以保留,曝光基片中的被遮蔽部分會發生溶解反應,溶解于顯影液中被除去,制作有電極掩膜圖案的感光基片;?
3·3)感光基片清洗?
采用自來水清洗感光基片,以除去殘留在感光基片表面的顯影液和殘余的感光性金屬顆粒,制得光刻電極;?
3·4)烘干處理?
將制得的光刻電極置入烘干設備中,在溫度42℃~48℃下烘干25min~30min,制成電極料片備用。?
本發明的技術問題通過以下再進一步的技術方案予以解決。?
所述薄膜基片是氧化鋁基片、鐵氧體基片、玻璃膜片、PET膜片中的一種。?
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





