[發明專利]一種憶阻層及憶阻器

有效

• 申請號: 201310206768.X
• 申請日: 2013-05-29
• 公開（公告）號: CN103280526A
• 公開（公告）日: 2013-09-04
• 發明（設計）人: 劉力鋒;后羿;陳冰;高濱;韓德棟;王漪;康晉鋒;張興
• 申請（專利權）人: 北京大學
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩

1.一種憶阻層，其特征在于，包括主要層和輔助層；

所述輔助層位于所述主要層的上面；

所述主要層的厚度大于所述輔助層的厚度；

所述主要層由具有阻變特性的金屬氧化物A_x1O_y1構成；

所述輔助層由金屬氧化物B_x2O_y2構成；

其中，x1、x2、y1、y2為與化學價相關的元素比例。

2.如權利要求1所述的憶阻層，其特征在于，所述金屬氧化物A_x1O_y1和所述金屬氧化物B_x2O_y2的金屬元素價態不同。

3.如權利要求1所述的憶阻層，其特征在于，所述金屬氧化物A_x1O_y1為HfO₂，則所述金屬氧化物B_x2O_y2為Al₂O₃、Gd₂O₃或Ta₂O₅。

4.如權利要求1所述的憶阻層，其特征在于，所述金屬氧化物A_x1O_y1為Al₂O₃，則所述金屬氧化物B_x2O_y2為Ta₂O₅、TiO₂或NiO。

5.如權利要求1所述的憶阻層，其特征在于，所述金屬氧化物A_x1O_y1為氧化鋯、氧化鎳、氧化鈦、氧化鋅、氧化鎢或氧化鉿。

6.如權利要求1所述的憶阻層，其特征在于，所述主要層的厚度大于10nm，輔助層的厚度小于5nm。

7.一種憶阻器，其特征在于，包括底電極層、權利要求1～6任一項所述的憶阻層和頂電極層；

所述頂電極層材料的儲氧能力比所述底電極層材料的儲氧能力強;

所述底電極層和所述頂電極層用于與外部操作電路進行電連接；

所述憶阻層位于所述底電極層和所述頂電極層之間。

8.如權利要求7所述的憶阻器，其特征在于，所述底電極層的材料為鉑、金、鎳或重摻雜硅。

9.如權利要求7所述的憶阻器，其特征在于，所述頂電極層的材料為氮化鈦、氮鉭鈦、鈦或碲。

10.如權利要求7～9任一項所述的憶阻器，其特征在于，所述憶阻器還包括襯底，所述襯底位于所述底電極層的下面。