[發(fā)明專利]功率因數(shù)校正電路無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310206764.1 | 申請(qǐng)日： | 2013-05-29 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103457452A | 公開（公告）日： | 2013-12-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李載昊;樸贊基;陳昊相 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | LS產(chǎn)電株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H02M1/42 | 分類號(hào)： | H02M1/42 |
| 代理公司： | 北京金信立方知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11225 | 代理人： | 黃威;徐愛(ài)萍 |
| 地址： | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 韓國(guó);KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 功率因數(shù) 校正 電路 | ||
1.一種功率因數(shù)校正電路，所述電路包括：
供電單元，其被配置為供電；
整流器，其被配置為整流由所述供電單元提供的電力；以及
功率因數(shù)校正單元，其被配置為校正由所述整流器整流的功率的因數(shù)，其中，所述功率因數(shù)校正單元包括并聯(lián)連接的電解電容器和薄膜電容器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率因數(shù)校正電路，其中，所述薄膜電容器被配置為去除由開關(guān)頻率引起的諧波電流的紋波，并且所述電解電容器被配置為去除由電源頻率引起的電流的紋波。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率因數(shù)校正電路，其中，所述電解電容器的電容量大于所述薄膜電容器的電容量。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的功率因數(shù)校正電路，其中，所述電解電容器的電容量比所述薄膜電容器的電容量大5～10倍。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率因數(shù)校正電路，其中，所述薄膜電容器的電容量(CF)由以下等式確定：
其中，RB是寄生電阻，且fSW是開關(guān)頻率。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率因數(shù)校正電路，其中，所述整流器包括多個(gè)二極管。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率因數(shù)校正電路，其中，所述功率因數(shù)校正單元進(jìn)一步包括電感器、MOSFET和二極管。
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H02M 用于交流和交流之間、交流和直流之間、或直流和直流之間的轉(zhuǎn)換以及用于與電源或類似的供電系統(tǒng)一起使用的設(shè)備；直流或交流輸入功率至浪涌輸出功率的轉(zhuǎn)換；以及它們的控制或調(diào)節(jié)
H02M1-00 變換裝置的零部件
H02M1-02 .專用于在靜態(tài)變換器內(nèi)的放電管產(chǎn)生柵極控制電壓或引燃極控制電壓的電路
H02M1-06 .非導(dǎo)電氣體放電管或等效的半導(dǎo)體器件的專用電路，例如閘流管、晶閘管的專用電路
H02M1-08 .為靜態(tài)變換器中的半導(dǎo)體器件產(chǎn)生控制電壓的專用電路
H02M1-10 .具有能任意地用不同種類的電流向負(fù)載供電的變換裝置的設(shè)備，例如用交流或直流
H02M1-12 .減少交流輸入或輸出諧波成分的裝置
