[發(fā)明專利]一種薄膜體聲波諧振器下電極的制備方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310206650.7
• 申請(qǐng)日: 2013-05-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103290367A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-09-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄂羽佳;楊振懷;朱嘉琦;韓杰才
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 哈爾濱工業(yè)大學(xué)
• 主分類號(hào): C23C14/32
• 分類號(hào): C23C14/32;C23C14/16;H03H9/15
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標(biāo)事務(wù)所 23109
• 代理人: 楊立超

1.一種薄膜體聲波諧振器下電極的制備方法，其特征在于它是通過(guò)以下步驟實(shí)現(xiàn)的:

步驟一、將單晶硅片襯底(100)依次放在丙酮、酒精和去離子水中，在超聲功率為250W～550W的條件下清洗20min～30min后烘干;

步驟二、在陰極弧源內(nèi)裝好Mo靶，將步驟一得到的單晶硅片襯底置于過(guò)濾陰極電弧沉積設(shè)備真空倉(cāng)內(nèi)的樣品臺(tái)上，抽真空至1.0×10^-6Torr～9.9×10^-6Torr后通入Ar氣，控制Ar氣流量為40sccm～60sccm，當(dāng)真空倉(cāng)內(nèi)壓強(qiáng)達(dá)到8.0×10^-5Torr～1.0×10^-4Torr時(shí)，將樣品臺(tái)轉(zhuǎn)至離子清洗位置，對(duì)單晶硅襯底表面進(jìn)行離子清洗10min～20min，然后關(guān)閉氬氣，再將樣品臺(tái)轉(zhuǎn)至沉積位置;

步驟三、繼續(xù)對(duì)真空倉(cāng)進(jìn)行抽真空，當(dāng)真空度達(dá)到1.0×10^-6Torr～9.9×10^-6Torr時(shí)，然后調(diào)入掃描波形，設(shè)置沉積參數(shù)為:電弧電流為60A～120A，沉積時(shí)間設(shè)為4min～8min，起弧頻率為10s/次～15s/次，襯底施加直流負(fù)偏壓為20V～200V，開(kāi)啟過(guò)濾陰極電弧沉積設(shè)備，開(kāi)始對(duì)Mo靶施加脈沖特性電源起弧，然后采用平特性電源穩(wěn)弧，向襯底表面沉積鍍膜;

步驟四:停弧后，繼續(xù)對(duì)真空倉(cāng)進(jìn)行抽真空，當(dāng)真空度達(dá)到1.0×10^-6Torr～9.9×10^-6Torr時(shí)，通入氮?dú)猓獨(dú)饬髁靠刂圃?.6sccm～8.8sccm，調(diào)入掃描波形，設(shè)置沉積參數(shù)為:電弧電流為100A～150A，沉積時(shí)間為1min～3min，襯底直流負(fù)偏壓為100V～300V，繼續(xù)沉積Mo薄膜，沉積結(jié)束后，即獲得氮化改性處理后的下電極Mo薄膜。

2.如權(quán)利要求1所述的一種薄膜體聲波諧振器下電極的制備方法，其特征在于步驟一中在超聲功率為300W～500W的條件下清洗22min～28min后烘干。

3.如權(quán)利要求1所述的一種薄膜體聲波諧振器下電極的制備方法，其特征在于步驟一中在超聲功率為400W的條件下清洗25min后烘干。

4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的一種薄膜體聲波諧振器下電極的制備方法，其特征在于步驟二中抽真空至2.0×10^-6Torr～8.0×10^-6Torr后通入Ar氣，控制Ar氣流量為45sccm～55sccm，當(dāng)真空倉(cāng)內(nèi)壓強(qiáng)達(dá)到8.5×10^-5Torr～9.5×10^-5Torr時(shí)，對(duì)單晶硅襯底表面進(jìn)行離子清洗12min～18min。

5.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的一種薄膜體聲波諧振器下電極的制備方法，其特征在于步驟二中抽真空至5.0×10^-6Torrr后通入Ar氣，控制Ar氣流量為5Osccm，當(dāng)真空倉(cāng)內(nèi)壓強(qiáng)達(dá)到9.O×10^-5Torr時(shí)，對(duì)單晶硅襯底表面進(jìn)行離子清洗15min。

6.如權(quán)利要求4所述的一種薄膜體聲波諧振器下電極的制備方法，其特征在于步驟三中當(dāng)真空度達(dá)到2.0×10^-6Torr～8.0×10^-6Torr時(shí)，然后調(diào)入掃描波形，設(shè)置沉積參數(shù)為:電弧電流為70A～llOA，沉積時(shí)間設(shè)為5min～7min，起弧頻率為11s/次～14s/次，襯底施加直流負(fù)偏壓為50V～150V。

7.如權(quán)利要求4所述的一種薄膜體聲波諧振器下電極的制備方法,其特征在于步驟三中當(dāng)真空度達(dá)到5.0×10^-6Torr時(shí)，然后調(diào)入掃描波形，設(shè)置沉積參數(shù)為:電弧電流為90A，沉積時(shí)間設(shè)為6min，起弧頻率為13s/次，襯底施加直流負(fù)偏壓為100V。

8.如權(quán)利要求6所述的一種薄膜體聲波諧振器下電極的制備方法，其特征在于步驟四中當(dāng)真空度達(dá)到5.0×10-⁶Torr時(shí)，通入氮?dú)猓獨(dú)饬髁靠刂圃?.6sccm。

9.如權(quán)利要求8所述的一種薄膜體聲波諧振器下電極的制備方法，其特征在于步驟四中電弧電流為110A～140A，襯底直流負(fù)偏壓為150V～250V，繼續(xù)沉積Mo薄膜。

10.如權(quán)利要求8所述的一種薄膜體聲波諧振器下電極的制備方法，其特征在于步驟四中電弧電流為120A，襯底直流負(fù)偏壓為200V，繼續(xù)沉積Mo薄膜。