[發明專利]一種提高III-V族化合物電子器件散熱性的方法有效
| 申請號： | 201310205855.3 | 申請日： | 2013-05-29 |
| 公開（公告）號： | CN103258863A | 公開（公告）日： | 2013-08-21 |
| 發明（設計）人： | 葉繼春;劉鳳全 | 申請（專利權）人： | 蘇州強明光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0216 | 分類號： | H01L31/0216;H01L31/052 |
| 代理公司： | 張家港市高松專利事務所(普通合伙) 32209 | 代理人： | 孫高 |
| 地址： | 215612 江蘇省蘇州市張家港市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 提高 iii 化合物 電子器件 散熱 方法 | ||
1.一種提高III-V族化合物電子器件散熱性的方法，該電子器件包括活性層、設置于活性層正面的金屬電極以及設置于活性層背面的背襯層，該背襯層包括金屬層和聚合物層，金屬層與活性層背面連接，聚合物層粘結于金屬層表面；該方法包括以下步驟：
a．在活性層的正面粘貼臨時轉移層，該臨時轉移層覆蓋金屬電極和活性層；
b.去除聚合物層；
c.在金屬層上粘結導熱支撐層；
d.移除臨時轉移層。
2.如權利要求1所述的一種提高III-V族化合物電子器件散熱性的方法，其特征在于：所述導熱支撐層為導電的導熱支撐層，該導電的導熱支撐層做為活性層的另一電極。
3.如權利要求2所述的一種提高III-V族化合物電子器件散熱性的方法，其特征在于：所述導電的導熱支撐層為金屬層或者高摻雜的半導體層。
4.如權利要求1所述的一種提高III-V族化合物電子器件散熱性的方法，其特征在于：所述導熱支撐層為非導電的導熱支撐層，該非導電的導熱支撐層上開有至少一個便于活性層與外部連通的通口。
5.如權利要求4所述的一種提高III-V族化合物電子器件散熱性的方法，其特征在于：所述非導電的導熱支撐層為低摻雜半導體層或者陶瓷層。
6.如權利要求1所述的一種提高III-V族化合物電子器件散熱性的方法，其特征在于：所述導熱支撐層為柔性的導熱支撐層。
7.如權利要求6所述的一種提高III-V族化合物電子器件散熱性的方法，其特征在于：所述柔性的導熱支撐層為金屬薄膜層。
8.如權利要求1所述的一種提高III-V族化合物電子器件散熱性的方法，其特征在于：所述導熱支撐層為硬性的導熱支撐層。
9.如權利要求8所述的一種提高III-V族化合物電子器件散熱性的方法，其特征在于：所述的導熱支撐層為金屬片,或者半導體，或者導熱陶瓷材料。
10.如權利要求1所述的一種提高III-V族化合物電子器件散熱性的方法，其特征在于：所述電子器件還包括抗反射層，該抗反射層涂覆于活性層的正面并包覆金屬電極，該臨時轉移層則粘貼于抗反射層上。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
