[發明專利]多晶硅層的形成方法有效
| 申請號： | 201310205826.7 | 申請日： | 2013-05-28 |
| 公開（公告）號： | CN103325665B | 公開（公告）日： | 2017-10-10 |
| 發明（設計）人： | 許忠義 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/20 | 分類號： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司11227 | 代理人： | 張亞利,駱蘇華 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 多晶 形成 方法 | ||
1.一種多晶硅層的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底；
將所述基底放入反應腔內；
往所述反應腔內通入含硅氣體和第一摻雜氣體，在所述基底上形成摻雜硅材料層，其中形成所述摻雜硅材料層包括：所述反應腔內的溫度小于570℃，所述摻雜硅材料層中的硅為非晶硅，或者所述反應腔內的溫度大于570℃，所述摻雜硅材料層中的硅為多晶硅；
形成所述摻雜硅材料層后，往所述反應腔內通入流速為200～700sccm的第二摻雜氣體對所述摻雜硅材料層進行摻雜，以形成摻雜多晶硅層，其中反應腔內的溫度大于570℃，且大于形成摻雜硅材料層時反應腔內的溫度，形成的所述摻雜多晶硅層的厚度小于預定厚度；以及
重復所述形成摻雜硅材料層和所述形成摻雜多晶硅層的步驟，直至得到預定厚度的摻雜多晶硅層；
其中，所述第一摻雜氣體和所述第二摻雜氣體的摻雜類型相同。
2.如權利要求1所述的多晶硅層的形成方法，其特征在于，形成所述摻雜多晶硅層時，所述反應腔內的溫度為580～680℃。
3.如權利要求2所述的多晶硅層的形成方法，其特征在于，形成所述摻雜多晶硅層時，所述第二摻雜氣體的流速為300～500sccm。
4.如權利要求3所述的多晶硅層的形成方法，其特征在于，形成所述摻雜多晶硅層的時間為10～15min。
5.如權利要求4所述的多晶硅層的形成方法，其特征在于，形成所述摻雜多晶硅層時，反應腔內的壓強為0.1～5.0Torr。
6.如權利要求1所述的多晶硅層的形成方法，其特征在于，形成所述摻雜硅材料層的時間為3～5min，反應腔內的壓強為0.1～1.0Torr，含硅氣體的流速為0.1～5.0slm，第一摻雜氣體的流速為10～50sccm。
7.如權利要求1所述的多晶硅層的形成方法，其特征在于，所述含硅氣體為SiH4或正硅酸乙酯。
8.如權利要求1所述的多晶硅層的形成方法，其特征在于，所述第一摻雜氣體為AsH3、PH3、B2H6中的一種或多種；
所述第二摻雜氣體為AsH3、PH3、B2H6中的一種或多種。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
