[發明專利]半導體基板的高原結構成形方法

在審

• 申請號: 201310205686.3
• 申請日: 2013-05-29
• 公開（公告）號: CN104217996A
• 公開（公告）日: 2014-12-17
• 發明（設計）人: 汪可震
• 申請（專利權）人: 力神科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;B28D5/00
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 王玉雙;常大軍

1.一種半導體基板的高原結構成形方法，其特征在于，包含步驟：

決定多個預定分裂線于一半導體基板的一表面上的布局，該些預定分裂線用以分裂該半導體基板成多個半導體芯片；

依據該些預定分裂線的布局決定多個預定切割位置；

決定一預定切割深度，使該預定切割深度大于該半導體基板的一半導體接面與該半導體基板的該表面之間的距離；

根據該些預定切割位置及該預定切割深度，以一刀具切割該半導體基板的該表面，而形成多個溝槽；及

拋光該些溝槽的底部。

2.根據權利要求1所述的半導體基板的高原結構成形方法，其特征在于，該刀具對應每一該些預定切割位置重復切劃該半導體基板的該表面而形成該些溝槽。

3.根據權利要求1所述的半導體基板的高原結構成形方法，其特征在于，每一該些溝槽的一開口寬度為0.005英寸至0.01英寸。

4.根據權利要求1所述的半導體基板的高原結構成形方法，其特征在于，該預定切割深度為120微米至150微米。

5.根據權利要求1所述的半導體基板的高原結構成形方法，其特征在于，該些溝槽的底部的寬度小于其開口的寬度。

6.根據權利要求1所述的半導體基板的高原結構成形方法，其特征在于，該拋光該溝槽的底部包含：一蝕刻步驟。

7.根據權利要求1或6所述的半導體基板的高原結構成形方法，其特征在于，更包含：一清洗步驟。

8.根據權利要求1所述的半導體基板的高原結構成形方法，其特征在于，該刀具為一鉆石刀及一輪刀其中之一。

9.根據權利要求1所述的半導體基板的高原結構成形方法，其特征在于，每一該些半導體芯片具有兩個該預定切割位置。

10.根據權利要求1所述的半導體基板的高原結構形成方法，其特征在于，每一該預定切割位置位于該些預定分裂線的其中之一上。