[發明專利]制造用于半導體器件的薄膜粘結襯底的方法

無效

• 申請號: 201310205664.7
• 申請日: 2013-05-29
• 公開（公告）號: CN103456850A
• 公開（公告）日: 2013-12-18
• 發明（設計）人: 金東顯;金東云;金美璟;金旼柱;金雅羅;金鉉埈;徐中源;禹廣濟;李寶賢;全鐘必;鄭璟燮
• 申請（專利權）人: 三星康寧精密素材株式會社
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L21/02
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 宋穎娉;宋志強

1.一種制造用于半導體器件的薄膜粘結襯底的方法，所述方法包括：

在由塊晶體構成的第一襯底上外延生長一外延生長層；

裂解所述第一襯底，從而在所述外延生長層上留下晶體薄膜，所述晶體薄膜是從所述第一襯底分離出的；以及

將第二襯底粘結至所述晶體薄膜，所述第二襯底的化學成分與所述第一襯底的化學成分不同。

2.根據權利要求1所述的方法，其中裂解所述第一襯底包括：在裂解所述第一襯底之前，將第三襯底粘結至所述外延生長層。

3.根據權利要求2所述的方法，進一步包括：在將第二襯底粘結至所述晶體薄膜之后，移除所述第三襯底。

4.根據權利要求2所述的方法，其中所述外延生長層和所述第三襯底通過粘合劑彼此粘結。

5.根據權利要求2所述的方法，其中所述外延生長層和所述第三襯底通過加熱和壓緊彼此直接粘結。

6.根據權利要求1所述的方法，其中形成所述晶體薄膜包括：

向所述第一襯底中距離所述第一襯底的與所述外延生長層的一個表面相鄰的一個表面的預定深度注入離子，從而在所述第一襯底中形成離子注入層；

將第三襯底粘結至所述外延生長層的另一表面；以及

沿所述離子注入層裂解所述第一襯底，從而在所述外延生長層的所述一個表面上留下所述晶體薄膜，所述晶體薄膜是從所述第一襯底分離出的。

7.根據權利要求6所述的方法，其中注入離子包括：在距所述第一襯底的所述一個表面0.1μm至100μm范圍的厚度處形成所述離子注入層。

8.根據權利要求6所述的方法，其中所述離子包括從氫、氦和氮所組成的組中選擇的一種離子。

9.根據權利要求6所述的方法，其中裂解所述第一襯底包括對所述離子注入層進行熱處理。

10.根據權利要求6所述的方法，其中裂解所述第一襯底包括切割所述離子注入層。

11.根據權利要求1所述的方法，其中所述晶體塊包括氮化物半導體。

12.根據權利要求1所述的方法，其中外延生長一外延生長層包括：以具有多量子阱層和堆疊在所述多量子阱層上的p型覆層的堆疊結構生長所述外延生長層。

13.根據權利要求12所述的方法，其中所述p型覆層包括氮化物半導體材料。

14.根據權利要求12所述的方法，其中所述晶體薄膜包括n型覆層。

15.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：在將第二襯底粘結至所述晶體薄膜之前，在所述第二襯底的待粘結所述晶體薄膜的一個表面上沉積反射層。