[發(fā)明專利]帶有中斷區(qū)域的感性元件及其形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310205001.5
• 申請(qǐng)日: 2013-05-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103474419B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-08-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: E·迪迷爾坎;T·F·麥克內(nèi)勒
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 飛思卡爾半導(dǎo)體公司
• 主分類號(hào): H01L23/64
• 分類號(hào): H01L23/64;H01L21/02
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所11038
• 代理人: 金曉

1.一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，包括：

半導(dǎo)體襯底，具有第一導(dǎo)電類型和上表面；

多個(gè)第一摻雜區(qū)域，位于所述上表面下的第一深度處，以棋盤方式排列，其中所述多個(gè)第一摻雜區(qū)域具有第二導(dǎo)電類型，以及其中所述多個(gè)第一摻雜區(qū)域在所述襯底中在所述第一深度處定義了多個(gè)第一區(qū)域，據(jù)此所述襯底中的多個(gè)第一區(qū)域具有棋盤圖案，其中所述多個(gè)第一區(qū)域中的每一個(gè)第一區(qū)域位于所述多個(gè)第一摻雜區(qū)域中的相鄰的第一摻雜區(qū)域之間；

多個(gè)第二摻雜區(qū)域，以棋盤方式排列，其中所述多個(gè)第二摻雜區(qū)域具有所述第二導(dǎo)電類型以及位于所述襯底中的所述多個(gè)第一區(qū)域上且位于所述襯底中的所述多個(gè)第一區(qū)域的正上方；

電介質(zhì)層，位于所述上表面上；以及

感性元件，位于所述電介質(zhì)層上，其中所述感性元件位于所述多個(gè)第一摻雜區(qū)域上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中所述襯底具有自然摻雜P-以及所述多個(gè)第一摻雜區(qū)域所位于的位置具有摻雜P---，其中所述摻雜P---具有小于P-的P型摻雜劑濃度。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中所述多個(gè)第一摻雜區(qū)域具有摻雜N-。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中所述多個(gè)第二摻雜區(qū)域在所述襯底中的所述多個(gè)第一區(qū)域上在所述襯底中以及在所述多個(gè)第一摻雜區(qū)域上定義了多個(gè)第二區(qū)域，據(jù)此所述襯底中的所述多個(gè)第二區(qū)域具有棋盤圖案，其中所述多個(gè)第二區(qū)域中的每一個(gè)第二區(qū)域位于所述多個(gè)第二摻雜區(qū)域中的相鄰的第二摻雜區(qū)域之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中所述襯底具有自然摻雜P-，所述多個(gè)第一摻雜區(qū)域以及所述多個(gè)第二摻雜區(qū)域具有摻雜等級(jí)N---，以及所述襯底中的所述多個(gè)第一區(qū)域和所述多個(gè)第二區(qū)域具有摻雜等級(jí)P---，其中所述摻雜等級(jí)P---具有小于P-的P型摻雜劑濃度，以及所述摻雜等級(jí)N---具有小于N-的N型摻雜劑濃度。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中所述襯底的所述多個(gè)第一摻雜區(qū)域的每一個(gè)和所述多個(gè)第二摻雜區(qū)域的每一個(gè)是方形并且具有相同的面積。

7.一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，包括：

半導(dǎo)體襯底，具有第一導(dǎo)電類型和上表面；

多個(gè)第一摻雜區(qū)域，位于所述上表面下的第一深度處，以棋盤方式排列，其中所述多個(gè)第一摻雜區(qū)域具有第二導(dǎo)電類型，以及其中所述多個(gè)第一摻雜區(qū)域在所述襯底中在所述第一深度處定義了多個(gè)第一區(qū)域，據(jù)此所述襯底中的多個(gè)第一區(qū)域具有棋盤圖案，其中所述多個(gè)第一區(qū)域中的每一個(gè)第一區(qū)域位于所述多個(gè)第一摻雜區(qū)域中的相鄰的第一摻雜區(qū)域之間；

多個(gè)第二摻雜區(qū)域，以棋盤方式排列，其中所述多個(gè)第二摻雜區(qū)域具有所述第二導(dǎo)電類型以及位于所述襯底中的所述多個(gè)第一區(qū)域上且位于所述襯底中的所述多個(gè)第一區(qū)域的正上方；

多個(gè)電介質(zhì)區(qū)域，在所述襯底中從所述上表面到第二深度形成，其中所述多個(gè)電介質(zhì)區(qū)域以棋盤圖案位于所述多個(gè)第二摻雜區(qū)域上以及所述多個(gè)電介質(zhì)區(qū)域?qū)R到所述多個(gè)第二摻雜區(qū)域；

電介質(zhì)層，位于所述上表面上；以及

感性元件，位于所述電介質(zhì)層上，其中所述感性元件位于所述多個(gè)第一摻雜區(qū)域上。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中所述多個(gè)電介質(zhì)區(qū)域在所述襯底中的所述多個(gè)第二區(qū)域上在所述襯底中以及在所述多個(gè)第二摻雜區(qū)域上定義了多個(gè)第三區(qū)域，其中所述襯底中的所述多個(gè)第三區(qū)域具有棋盤圖案，其中所述多個(gè)第三區(qū)域中的每一個(gè)第三區(qū)域位于所述多個(gè)電介質(zhì)區(qū)域中的相鄰的電介質(zhì)區(qū)域之間。