[發明專利]應用于阻變存儲器的Al-W-O堆疊結構無效
| 申請號： | 201310204621.7 | 申請日： | 2013-05-28 |
| 公開（公告）號： | CN103268917A | 公開（公告）日： | 2013-08-28 |
| 發明（設計）人： | 白越;吳明昊;吳華強;錢鶴 | 申請（專利權）人： | 清華大學 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 張大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 應用于 存儲器 al 堆疊 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種應用于阻變存儲器的Al-W-O堆疊結構，其特征在于，包括：
鎢下電極；
形成在所述鎢下電極之上的氧化鎢層；
形成在所述氧化鎢層之上的氧化鋁層；以及
形成在氧化鋁層之上的鋁上電極。
2.如權利要求1所述的應用于阻變存儲器的Al-W-O堆疊結構，其特征在于，所述氧化鎢層是通過熱氧化的方式形成的。
3.如權利要求1所述的應用于阻變存儲器的Al-W-O堆疊結構，其特征在于，所述氧化鎢層的厚度為30-70nm。
4.如權利要求1所述的應用于阻變存儲器的Al-W-O堆疊結構，其特征在于，所述氧化鋁層是通過接觸式氧化的方式形成的。
5.如權利要求1所述的應用于阻變存儲器的Al-W-O堆疊結構，其特征在于，所述接觸式氧化的溫度為400-500℃，時間為50-200s。
6.如權利要求1所述的應用于阻變存儲器的Al-W-O堆疊結構，其特征在于，所述第二氧化層的厚度為3-10nm。
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