[發(fā)明專利]襯底電阻器及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310203942.5
• 申請日: 2013-05-28
• 公開（公告）號: CN103515195A
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發(fā)明（設計）人: 陳華豐;王淑慧;江木吉
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L23/64
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種形成半導體結構的方法，所述方法包括：

在襯底上方形成電阻器；

在所述電阻器和所述襯底上方沉積填充材料；

圖案化位于所述電阻器的中間區(qū)域上方的所述填充材料；

在所述電阻器上方形成連接件，所述連接件位于所述填充材料的兩側；以及

去除所述填充材料。

2.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：

在所述電阻器和所述連接件上方形成介電層；以及

形成穿過所述介電層到達所述連接件的接觸件。

3.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：

在所述襯底上方形成擴散阻擋層，其中，在所述襯底上方形成所述電阻器的同時通過同一工藝實施所述擴散阻擋層的形成。

4.根據權利要求3所述的方法，進一步包括：

在所述擴散阻擋層上方形成第一晶體管柵極，其中，通過在所述電阻器上方形成所述連接件的同一工藝且同時實施所述第一晶體管柵極的形成；

在所述擴散阻擋層上方沉積第二晶體管柵極，其中，通過在所述電阻器上方沉積所述填充物的同一工藝且同時實施所述第二晶體管柵極的沉積；以及

圖案化所述第二晶體管柵極，其中，通過圖案化所述填充材料的同一工藝且同時實施所述第二晶體管柵極的圖案化。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，在所述襯底上方形成所述電阻器包括：

在所述襯底中形成隔離區(qū)；以及

在所述隔離區(qū)上方形成所述電阻器。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，在所述電阻器上方形成所述連接件包括：

在所述電阻器和所述填充材料上方沉積金屬層；以及

圖案化位于所述電阻器上和所述填充材料的側面上的所述金屬層。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，在所述電阻器上方沉積所述填充材料包括在所述電阻器上方沉積摻雜多晶硅。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，在所述電阻器上方沉積所述填充材料包括在所述電阻器上方沉積介電材料。

9.一種形成半導體結構的方法，所述方法包括：

在襯底中形成隔離區(qū)；

在所述隔離區(qū)上方形成電阻器；

在所述襯底、所述隔離區(qū)和所述電阻器上方沉積填充材料；

實施所述填充材料的第一圖案化，其中，所述填充材料僅覆蓋所述電阻器；

在所述填充材料、所述隔離區(qū)和所述襯底上方沉積介電層；

實施所述填充材料的第二圖案化，其中，所述填充材料僅覆蓋所述電阻器的中間部分；

在所述電阻器上形成第一連接件；

在所述電阻器上形成第二連接件，其中，所述填充材料橫向位于所述第一連接件和所述第二連接件之間；以及

去除所述填充材料的部分。

10.一種半導體結構，包括：

隔離區(qū)，位于襯底中；

電阻器，位于所述隔離區(qū)上；

第一連接件，位于所述電阻器上；

第二連接件，位于所述電阻器上；以及

間隔件，位于所述電阻器上，其中，所述間隔件橫向位于所述第一連接件和所述第二連接件之間。