[發明專利]包括埋入式柵極的半導體器件、組件和系統及制造方法

有效

• 申請號: 201310203798.5
• 申請日: 2013-05-28
• 公開（公告）號: CN103681784B
• 公開（公告）日: 2019-01-01
• 發明（設計）人: 張太洙
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L21/314;G11C8/10
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 顧紅霞;何勝勇

1.一種形成半導體器件的方法，包括：

形成限定有源區的器件隔離膜；

形成位于所述有源區中的凹陷部；

在所述凹陷部的下部形成柵極；

在所述柵極上形成第一氮化物膜；

將氮離子注入所述第一氮化物膜中以將所述第一氮化物膜轉換成第一富氮氮化物膜；

對所述第一富氮氮化物膜進行氧化工序以將所述第一富氮氮化物膜的頂部轉換成氧化物膜；

在所述氧化物膜上形成第二氮化物膜；以及

將氮離子注入所述第二氮化物膜中以將所述第二氮化物膜轉換成第二富氮氮化物膜。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括：在形成所述凹陷部之后執行H₂退火工序。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述第一氮化物膜的步驟包括：

在所述凹陷部的側壁和所述柵極上沉積氮化物膜。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述注入步驟包括：

在劑量為10¹³個/cm²到10¹⁶個/cm²之間且能量為1KeV到50KeV之間的工序條件下注入氮離子。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述第一富氮氮化物膜的步驟包括：

將所述第一氮化物膜轉換成與Si₃N₄材料相比具有更高的氮比例的氮化硅膜。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，所述氧化工序在500℃到1000℃之間的溫度下執行10秒到1000秒之間的預定時間。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，所述氧化工序以使所述第一富氮氮化物膜中包含的5％到95％的氮被氧化的方式來執行。