[發明專利]用于鎖相環的鑒頻鑒相器有效
| 申請號： | 201310203013.4 | 申請日： | 2013-05-28 |
| 公開（公告）號： | CN104184465B | 公開（公告）日： | 2018-02-06 |
| 發明（設計）人： | 朱紅衛;王旭;楊光華 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H03L7/085 | 分類號： | H03L7/085 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司31211 | 代理人： | 丁紀鐵 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 鎖相環 鑒頻鑒相器 | ||
1.一種用于鎖相環的鑒頻鑒相器，其特征在于，鑒頻鑒相器包括：
第一下降沿產生電路，其輸入端連接第一輸入信號，輸出端在所述第一輸入信號的下降沿處產生第一負脈沖信號；
第一上升沿產生電路，其輸入端連接第一輸入信號，輸出端在所述第一輸入信號的上升沿處產生第一正脈沖信號；
第二下降沿產生電路，其輸入端連接第二輸入信號，輸出端在所述第二輸入信號的下降沿處產生第二負脈沖信號；
第二上升沿產生電路，其輸入端連接第二輸入信號，輸出端在所述第二輸入信號的上升沿處產生第二正脈沖信號；
第一MOS晶體管串聯結構，由第一PMOS管和第一NMOS管串聯而成，所述第一PMOS管的源極接電源、所述第一NMOS管的源極接地，所述第一PMOS管的柵極連接所述第一負脈沖信號，所述第一NMOS管的柵極連接所述第二正脈沖信號，所述第一PMOS管和所述第一NMOS管的漏極相連接并作為所述第一MOS晶體管串聯結構的輸出端；
第二MOS晶體管串聯結構，由第二PMOS管和第二NMOS管串聯而成，所述第二PMOS管的源極接電源、所述第二NMOS管的源極接地，所述第二PMOS管的柵極連接所述第二負脈沖信號，所述第二NMOS管的柵極連接所述第一正脈沖信號，所述第二PMOS管和所述第二NMOS管的漏極相連接并作為所述第二MOS晶體管串聯結構的輸出端；
第一或非門和第二或非門，所述第一MOS晶體管串聯結構的輸出端信號經M個第一反相器的延時后連接分別連接到所述第一或非門和所述第二或非門的第一輸入端，所述第二MOS晶體管串聯結構的輸出端信號經M個第一反相器的延時后連接分別連接到所述第一或非門和所述第二或非門的第二輸入端，M為偶數；
所述第一或非門的輸出端輸出下降控制信號，所述第二或非門的輸出端輸出上升控制信號；
所述第一下降沿產生電路包括第一與非門，所述第一輸入信號通過一第二反相器形成第一反相信號，所述第一反相信號輸入到所述第一與非門的第一輸入端，所述第一反相信號通過N個第二反相器的延時和反相后輸入到所述第一與非門的第二輸入端，N為奇數，所述第一與非門的輸出端輸出所述第一負脈沖信號；
所述第一上升沿產生電路包括第二與非門，所述第一輸入信號輸入到所述第二與非門的第一輸入端，所述第一輸入信號通過N個第二反相器的延時和反相后輸入到所述第二與非門的第二輸入端，所述第二與非門的輸出端通過一第三反相器的反相后輸出所述第一正脈沖信號；
所述第二下降沿產生電路包括第三與非門，所述第二輸入信號通過一第二反相器形成第二反相信號，所述第二反相信號輸入到所述第三與非門的第一輸入端，所述第二反相信號通過N個第二反相器的延時和反相后輸入到所述第三與非門的第二輸入端，所述第三與非門的輸出端輸出所述第二負脈沖信號；
所述第二上升沿產生電路包括第四與非門，所述第二輸入信號輸入到所述第四與非門的第一輸入端，所述第二輸入信號通過N個第二反相器的延時和反相后輸入到所述第四與非門的第二輸入端，所述第四與非門的輸出端通過一第三反相器的反相后輸出所述第二正脈沖信號。
2.如權利要求1所述的用于鎖相環的鑒頻鑒相器，其特征在于：M為2，N為3。
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