[發明專利]一種鋁焊墊的制造方法有效
| 申請號： | 201310202984.7 | 申請日： | 2013-05-28 |
| 公開（公告）號： | CN103295917A | 公開（公告）日： | 2013-09-11 |
| 發明（設計）人： | 張亮;周軍;陳建維 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/48 | 分類號： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吳世華;林彥之 |
| 地址： | 201210 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 鋁焊墊 制造 方法 | ||
1.一種鋁焊墊的制造方法，其特征在于，包括：
步驟S01：在含有金屬互連線的半導體襯底上依次沉積刻蝕阻擋層和鈍化保護層；
步驟S02：經光刻和刻蝕，在所述鈍化保護層和所述刻蝕阻擋層中形成溝槽，暴露出所述半導體襯底上的互連金屬；
步驟S03：在所述溝槽內部和所述溝槽外的所述鈍化保護層的表面沉積鋁金屬，形成含有凹陷和凸起的鋁層，所述鋁層的底部與所述互連金屬相接觸；
步驟S04：采用脈沖激光轟擊法刻蝕所述鋁層，修正所述鋁層的形貌；
步驟S05：在所述鋁層上沉積金屬鋁，形成平整的鋁層；
步驟S06：經光刻和刻蝕，形成鋁焊墊。
2.根據權利要求1所述的鋁焊墊的制造方法，其特征在于，所述步驟S04中，所述脈沖激光轟擊法采用激光波長為10-3000nm，所采用的頻率為1Hz-1GHz，所采用的單次脈沖激光能量為20-800mj。
3.根據權利要求1所述的鋁焊墊的制造方法，其特征在于，所述脈沖激光轟擊法采用的激光器為準分子激光器，所述準分子激光器的波長為193nm或248nm。
4.根據權利要求1所述的鋁焊墊的制造方法，其特征在于，所述脈沖激光轟擊法采用的激光器為高次諧波ND:YAG激光器，所述高次諧波ND:YAG激光器的波長為266nm或355nm。
5.根據權利要求1所述的鋁焊墊的制造方法，其特征在于，所述步驟S05，包括一個循環過程：在所述鋁層上沉積所述金屬鋁、采用脈沖激光轟擊所述鋁層和再次在所述鋁層上沉積所述金屬鋁，以及多次重復所述的循環過程，直至形成所述平整的鋁層。
6.根據權利要求1所述的鋁焊墊的制造方法，其特征在于，所述步驟S05中，包括對所述鋁層的厚度進行調整，在形成的所述平整的鋁層上再一次或多次沉積所述金屬鋁，使所述鋁層達到所需厚度。
7.根據權利要求1所述的鋁焊墊的制造方法，其特征在于，采用脈沖激光轟擊法的束流源采用氦、氖激發的脈沖激光。
8.根據權利要求1所述的鋁焊墊的制造方法，其特征在于，采用脈沖激光轟擊法的束流源采用固態激發的脈沖激光。
9.根據權利要求1所述的鋁焊墊的制造方法，其特征在于，采用物理氣相沉積法來沉積所述金屬鋁。
10.根據權利要求1所述的鋁焊墊的制造方法，其特征在于，所述鈍化保護層為單層鈍化保護層或雙層鈍化保護層。
11.根據權利要求9所述的鋁焊墊的制造方法，其特征在于，所述鈍化保護層為單層鈍化保護層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
