[發明專利]發光器件封裝

有效

• 申請號: 201310202925.X
• 申請日: 2013-05-28
• 公開（公告）號: CN103794700B
• 公開（公告）日: 2018-03-02
• 發明（設計）人: 趙范哲;金文燮;金振冠
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 李春暉,王娜麗

1.一種發光器件封裝，包括：

封裝體，具有設置在所述封裝體的至少一部分中的上部開口的腔以及圍繞所述腔的開口區域的抬高部分；

第一電極層和第二電極層，通過在所述第一電極層和所述第二電極層與所述封裝體之間插入的絕緣層與所述封裝體電隔離，所述第一電極層和所述第二電極層在所述腔的底面處彼此電隔離；

發光器件，所述發光器件被設置在所述腔的所述底面上，被配置成通過所述腔的開口區域發射光；以及

傳感器，所述傳感器被設置在所述封裝體的至少一部分上，被配置成測量所述發光器件的輸出，并且采用懸臂的形式；

其中，所述傳感器的底面包括：

第一部分，面對所述封裝體的抬高部分的上表面；以及

第二部分，非面對所述封裝體的抬高部分的上表面，并且暴露于所述腔。

2.根據權利要求1所述的發光器件封裝，其中所述傳感器是被配置成測量所述發光器件的溫度的熱傳感器。

3.根據權利要求1所述的發光器件封裝，其中，所述傳感器是被配置成測量所述發光器件發射的光的強度的光傳感器，并且所述光傳感器與所述封裝體集成。

4.一種發光器件封裝，包括：

封裝體，具有設置在所述封裝體的至少一部分中的上部開口的腔以及圍繞所述腔的開口區域的抬高部分，所述封裝體由硅構成；

第一電極層和第二電極層，所述第一電極層和所述第二電極層通過在所述第一電極層和所述第二電極層與所述封裝體之間插入的絕緣層與所述封裝體電隔離，所述第一電極層和所述第二電極層在所述腔的底面處彼此電隔離；

基于氮化物的發光器件，所述發光器件被設置在所述腔的底面上，被配置成通過所述腔的開口區域發射光；以及

熱傳感器，所述熱傳感器被設置在所述封裝體上并且采用懸臂的形式；

其中，所述熱傳感器的底面包括：

第一部分，面對所述封裝體的抬高部分的上表面；以及

第二部分，非面對所述封裝體的抬高部分的上表面，并且暴露于所述腔。

5.根據權利要求4所述的發光器件封裝，其中，所述熱傳感器包括熱感測部分和電極極板。

6.根據權利要求5所述的發光器件封裝，其中，所述熱感測部分和所述電極極板利用在它們之間插入的熱傳遞部分彼此接觸。

7.根據權利要求6所述的發光器件封裝，其中，所述熱傳遞部分由鈦Ti構成。

8.根據權利要求6所述的發光器件封裝，其中，所述熱傳遞部分的厚度在25nm至100nm的范圍內。

9.根據權利要求5所述的發光器件封裝，其中，所述熱感測部分由鎳Ni構成。

10.根據權利要求5所述的發光器件封裝，其中，所述熱感測部分的厚度在100nm至500nm的范圍內。

11.根據權利要求5所述的發光器件封裝，其中，所述電極極板由鋁Al構成。

12.根據權利要求5所述的發光器件封裝，其中，所述電極極板的厚度在100nm至500nm的范圍內。

13.根據權利要求4所述的發光器件封裝，其中，所述熱傳感器的尺寸在0.3μm至1μm的范圍內。

14.一種發光器件封裝，包括：

封裝體，具有設置在所述封裝體的至少一部分中的上部開口的腔和圍繞所述腔的開口區域的抬高部分；

第一電極層和第二電極層，所述第一電極層和所述第二電極層通過在所述第一電極層和所述第二電極層與所述封裝體之間插入的絕緣層與所述封裝體電隔離，所述第一電極層和所述第二電極層在所述腔的底面處彼此電隔離；

發光器件，所述發光器件被設置在14所述腔的底面上，被配置成通過所述腔的所述開口區域發射光；以及

半導體層，采用懸臂的形式，所述半導體層的底面包括：

第一部分，面對所述封裝體的抬高部分的上表面；以及

第二部分，非面對所述封裝體的抬高部分的上表面，并且暴露于所述腔。

15.根據權利要求14所述的發光器件封裝，其中，所述半導體層是被配置成測量所述發光器件發射的光的強度的光傳感器。