[發明專利]一種單芯片集成溫度補償的薄膜體聲波諧振器

無效

• 申請號: 201310202126.2
• 申請日: 2013-05-28
• 公開（公告）號: CN103326689A
• 公開（公告）日: 2013-09-25
• 發明（設計）人: 董樹榮;卞曉磊;胡娜娜;郭維
• 申請（專利權）人: 江蘇艾倫摩爾微電子科技有限公司
• 主分類號: H03H9/17
• 分類號: H03H9/17
• 代理公司: 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224
• 代理人: 董建林

1.?一種單芯片集成溫度補償的薄膜體聲波諧振器，其特征在于，設置一個直流偏壓單元為薄膜體聲波諧振器提供偏壓電壓，所述的直流偏壓單元輸出端分別連接內嵌肖特基結的薄膜體聲波諧振器的上、下電極，所述直流偏壓單元與薄膜體聲波諧振器集成在一個硅片CELL單元內。

2.如權利要求1所述的單芯片集成溫度補償的薄膜體聲波諧振器，其特征在于，所述的薄膜體聲波諧振器采用薄膜堆疊結構，包含依次堆疊于基板上集成一體的聲反射層、下電極、壓電層、半導體薄層以及上電極。

3.如權利要求1所述的單芯片集成溫度補償的薄膜體聲波諧振器，其特征在于，所述的直流偏壓單元為溫敏電阻和普通電阻串聯組成的偏壓電路，并通過外接芯片電源實現直流偏壓。

4.如權利要求1?所述的單芯片集成溫度補償的薄膜體聲波諧振器，其特征在于，直流偏壓單元是由溫度敏感的電阻、普通電阻和穩壓電源組成的電阻網絡分壓電路，或是由包含溫敏電阻的電橋差動偏壓電路組成。

5.如權利要求3所述的單芯片集成溫度補償的薄膜體聲波諧振器，其特征在于，所述的溫敏電阻為溫度敏感的多晶硅電阻、阱電阻、n+/p+電阻或n+?poly/p+?poly?電阻。

6.如權利要求2所述的單芯片集成溫度補償的薄膜體聲波諧振器，其特征在于，所述的聲反射層是布拉格聲反射層、表面氣隙結構或表面犧牲層結構中的一種。

7.如權利要求1所述的單芯片集成溫度補償的薄膜體聲波諧振器，其特征在于，所述的直流偏壓單元使用普通CMOS工藝與薄膜體聲波諧振器一起制備在硅片表面，所述的薄膜體聲波諧振器制備在直流偏壓單元的鈍化層上方；薄膜體聲波諧振器和直流偏壓單元以及基片中的集成電路，通過垂直通孔實現電路連接。

8.如權利要求2所述的單芯片集成溫度補償的薄膜體聲波諧振器，其特征在于，所述的壓電層采用具有壓電效應的壓電材料，所述壓電材料為ZnO、AlN、GaAs或CdS。

9.如權利要求2所述的單芯片集成溫度補償的薄膜體聲波諧振器，其特征在于，所述的半導體薄層是載流子濃度在10¹²－10^19?cm^-3的壓電半導體材料。

10.如權利要求2所述的單芯片集成溫度補償的薄膜體聲波諧振器，其特征在于，所述的半導體薄層和所述的上電極形成構成肖特基接觸的勢壘二極管，所述上電極為Au或Cr。