[發明專利]太陽能電池結構及其制備方法無效
| 申請號： | 201310201562.8 | 申請日： | 2013-05-27 |
| 公開（公告）號： | CN103325855A | 公開（公告）日： | 2013-09-25 |
| 發明（設計）人： | 于淑珍;董建榮;李奎龍;孫玉潤;曾徐路;趙春雨;趙勇明;楊輝 | 申請（專利權）人： | 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所 |
| 主分類號： | H01L31/0224 | 分類號： | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304 | 代理人： | 楊林;李友佳 |
| 地址： | 215123 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 太陽能電池 結構 及其 制備 方法 | ||
1.一種太陽能電池結構，從下至上依次包括襯底、電池組件、頂電池窗口層，其特征在于，還包括分散在所述頂電池窗口層表面、并與所述頂電池窗口層成歐姆接觸的金屬納米顆粒層，以及覆設于所述金屬納米顆粒層上、并與所述金屬納米顆粒層成歐姆接觸的石墨烯層。
2.根據權利要求1所述太陽能電池結構，其特征在于，還包括設置在所述石墨烯層表面的抗反膜。
3.根據權利要求1所述太陽能電池結構，其特征在于，還包括設置于所述石墨烯層表面的頂電極；以及設置于所述襯底底部的底電極，用于與外電路電連接。
4.根據權利要求1所述太陽能電池結構，其特征在于，所述電池組件為多結電池，所述電池組件包括至少兩個電池層以及形成于兩相鄰電池層之間的隧道結。
5.根據權利要求1或2所述太陽能電池結構，其特征在于，所述石墨烯層為單層石墨烯；所述襯底材質為GaAs、InP、Ge或Si任一種；所述抗反膜的材質為SiO2、TiO2、MgF或ZnS。
6.根據權利要求1所述太陽能電池結構，其特征在于，所述金屬納米粒子材料為金、鍺、鎳、鈦、鉑、銀、銅中的一種或多種。
7.根據權利要求7所述太陽能電池結構，其特征在于，所述金屬納米顆粒層的直徑范圍為10～150nm，并具有納米陷光效應。
8.一種根據權利要求1～7任一項所述太陽能電池結構的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
A、在襯底上生長電池組件、頂電池層、頂電池窗口層；
B、在頂電池窗口層表面制備金屬納米顆粒層；
C、然后將一石墨烯層覆設于所述金屬納米顆粒層上；
D、在所述石墨烯層上生長頂電極、抗反膜；
E、在所述襯底底部生長底電極。
9.根據權利要求8所述太陽能電池制備方法，其特征在于，所述金屬納米顆粒層是通過化學濕法或旋涂法制備的；所述石墨烯層采用化學氣相沉積技術制備；所述石墨烯層采用干法轉移或濕法轉移至所述金屬納米顆粒層上。
10.根據權利要求8所述太陽能電池制備方法，其特征在于，所述生長方法為金屬有機化學氣相沉積法或分子束外延法。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
