[發明專利]抗PID效應的太陽能電池片及其制造方法

有效

• 申請號: 201310201143.4
• 申請日: 2013-05-27
• 公開（公告）號: CN103337525A
• 公開（公告）日: 2013-10-02
• 發明（設計）人: 張良;李良;姚劍;高貝貝;余東華;毛海燕
• 申請（專利權）人: 鎮江大全太陽能有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/042;H01L31/18
• 代理公司: 鎮江京科專利商標代理有限公司 32107
• 代理人: 夏哲華

1.一種抗PID效應的太陽能電池片，包括有晶體硅襯底，以及依次沉積在晶體硅襯底上的SiN_x鈍化層和SiN_x透光層；其特征是：所述透光層上還沉積有一層SiN_x抗PID效應層；所述鈍化層折射率為2.15－2.25，厚度為10－40nm；透光層折射率為2.0－2.15，厚度為40－70nm；抗PID效應層折射率為2.20－2.45，厚度為5－20nm。

2.一種抗PID效應的太陽能電池片的制造方法，其特征是：在氮化硅鍍膜設備中對晶體硅襯底表面依次沉積形成鈍化層、透光層和抗PID效應層，具體步驟如下，

步驟一，預熱，晶體硅襯底進入反應腔體先進行恒溫加熱，使溫度達到設定的反應溫度400-500℃；

步驟二，恒壓，向反應腔體充入反應氣體NH₃和SiH₄，SiH₄流量500～1000?sccm/min，NH₃流量3000～4000?sccm/min，壓力范圍1.0～2.0?Torr；

步驟三，鈍化層沉積，射頻電源打開，射頻功率范圍5000～10000?W，在反應溫度下，等離子體中的活性自由基在硅片表面沉積，鍍膜時間為100～150?s；

步驟四，透光層沉積，向反應腔直接通入反應氣體，SiH₄流量500～1000?sccm/min，NH₃流量6000～7000?sccm/min，壓力范圍1.0～2.0?Torr，鍍膜時間為150-250?s；

步驟五，抽真空，將反應腔體內的殘留反應氣體抽出；

步驟六，恒壓，通入反應氣體NH₃和SiH，SiH₄流量500～1000?sccm/min，?NH₃流量1000～4000?sccm/min，保持恒壓狀態，壓力范圍0.5-1.5?Torr；

步驟七，抗PID效應層沉積，射頻電源打開，在反應溫度下，等離子體中的各種成分互相反應生成新的膜層，反應時間為5-20?s。

3.根據權利要求2所述的抗PID效應的太陽能電池片的制造方法，其特征是：步驟二中，SiH₄流量780?sccm/min，NH₃流量3500?sccm/min，壓力范圍1.7?Torr。

4.根據權利要求2所述的抗PID效應的太陽能電池片的制造方法，其特征是：步驟三中，射頻功率7000?W，鍍膜時間為140?s。

5.根據權利要求2所述的抗PID效應的太陽能電池片的制造方法，其特征是：步驟四中，?SiH₄流量780?sccm/min，NH₃流量6800?sccm/min，壓力范圍1.7?Torr，鍍膜時間為210?s。

6.根據權利要求2所述的抗PID效應的太陽能電池片的制造方法，其特征是：步驟六中，?SiH₄流量780?sccm/min，?NH₃流量2750?sccm/min，保持恒壓狀態，壓力范圍1.7?Torr。

7.根據權利要求2所述的抗PID效應的太陽能電池片的制造方法，其特征是：步驟七中，射頻功率7000?W，反應時間為10?s。