[發明專利]一種組織培養快速繁育盆栽香石竹的方法

有效

• 申請號: 201310201003.7
• 申請日: 2013-05-27
• 公開（公告）號: CN103262796A
• 公開（公告）日: 2013-08-28
• 發明（設計）人: 馬建華;馮愛云;羅麗君;晏強;王小輝
• 申請（專利權）人: 巴中市光霧山植物研究所
• 主分類號: A01H4/00
• 分類號: A01H4/00
• 代理公司: 成都金英專利代理事務所(普通合伙) 51218
• 代理人: 袁英

1.一種組織培養快速繁育盆栽香石竹的方法，其特征在于：它包括以下步驟：

S1：切取外植體并滅菌；

S2：初代培養：將滅菌后的側芽切割成直徑為1.5～2.5cm的帶芽莖段，接種于初代培養基中培養，其中，初代培養基為MS+6-BA1.5mg/L+NAA?0.2mg/L+蔗糖30g/L+瓊脂8g/L，培養條件為：光照強度1800～2200LX，光照時間15～20h，溫度23～25℃，培育時間30～60d，初代培養可誘導叢生芽產生；

S3：繼代培養：切割叢生芽，分成直徑為1.5～2.5cm的帶芽莖段，接種于繼代培養基中培養，繼代培養基為MS+6-BA0.8mg/L+NAA0.2mg/L+蔗糖30g/L+瓊脂8g/L，培育時間為25～45d；

S4：生根培養：將增殖后的不定芽轉接于生根培養基中培養，生根培養基為MS+NAA?0.2mg/L+IAA?0.1mg/L+蔗糖30g/L+瓊脂8g/L，培育時間為5～7d，生根培養后得到生根強壯的香石竹組培苗；

S5：煉苗移植：將生根的組培苗叢培養室取出，置于室外培養2～5d，洗掉組培苗上的培養基，保持溫度和濕度，分別為18～28℃、55～65%，移植于基質中。

2.根據權利要求1所述的一種組織培養快速繁育盆栽香石竹的方法，其特征在于：步驟S1中所述的切取外植體并滅菌的步驟包括以下步驟：

???（1）選取無病害的盆栽香石竹側芽，于流水中沖洗1～2h后，吸干水分；

???（2）放入超凈工作臺，用濃度為70～75%的酒精消毒28～35s；

???（3）用無菌水沖洗4～6次，放入濃度為0.1～0.2%的升汞中滅菌5～8min；

???（4）用無菌水沖洗4～6次，置于無菌紙上晾干。

3.根據權利要求1所述的一種組織培養快速繁育盆栽香石竹的方法，其特征在于：步驟S5?中所述的移植基質為腐殖土混合蛭石，混合比例為1～2:1。