[發明專利]一種SiC單晶片研磨工序用固結磨料化學機械研磨盤

有效

• 申請號: 201310200761.7
• 申請日: 2013-05-27
• 公開（公告）號: CN103381573A
• 公開（公告）日: 2013-11-06
• 發明（設計）人: 蘇建修;龐子瑞;馬利杰;付素芳;姚建國;鄭秋白;劉志響;張竹青
• 申請（專利權）人: 河南科技學院
• 主分類號: B24B37/14
• 分類號: B24B37/14
• 代理公司: 新鄉市平原專利有限責任公司 41107
• 代理人: 呂振安

1.一種SiC單晶片研磨工序用固結磨料化學機械研磨盤，它包括固結磨料層、聯接層、金屬基體層，其特征在于：固結磨料層按照重量百分比含量包括：磨料45～75%；氧化劑5～20%；助研劑5～20%；潤滑劑1～5%；結合劑5～35%；填料1～10%。

2.如權利要求1所述的一種SiC單晶片研磨工序用固結磨料化學機械研磨盤，其特征在于：其所述的所述的磨料為金剛石微粉與碳化硅微粉的混合物或者為金剛石微粉與碳化硼微粉的混合物或者為金剛石微粉與碳化硅微粉及碳化硼微粉的混合物。

3.如權利要求1所述的一種SiC單晶片研磨工序用固結磨料化學機械研磨盤，其特征在于：所述的氧化劑為為氫氧化鈉、丙三醇、三乙醇胺中的一種或兩種或三種的混合物。

4.如權利要求1所述的一種SiC單晶片研磨工序用固結磨料化學機械研磨盤，其特征在于：所述的助研劑為為氧化鐵粉、鐵粉、硬脂酸中的一種或兩種以上的混合物中的一種或兩種以上的混合物。

5.如權利要求1所述的一種SiC單晶片研磨工序用固結磨料化學機械研磨盤，其特征在于：所述的潤滑劑為二硫化鉬、球形納米碳粉、聚四氟乙烯粉中的一種或兩種以上的混合物。

6.如權利要求1所述的一種SiC單晶片研磨工序用固結磨料化學機械研磨盤，其特征在于：所述的結合劑為熱固型酚醛樹脂、熱固型聚氨酯樹脂、熱固型聚酰亞胺樹脂中的一種。

7.如權利要求1所述的一種SiC單晶片研磨工序用固結磨料化學機械研磨盤，其特征在于：所述的填料為冰晶石、核桃殼粉中的一種或其混合物。