[發(fā)明專(zhuān)利]一種可實(shí)現(xiàn)寬頻率范圍調(diào)諧的片上可變電感

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310200688.3
• 申請(qǐng)日: 2013-05-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103325793A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-09-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李巍;朱寧
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 復(fù)旦大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/12
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/12;H01L23/522
• 代理公司: 上海正旦專(zhuān)利代理有限公司 31200
• 代理人: 陸飛;盛志范

1.一種用標(biāo)準(zhǔn)集成電路工藝設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)寬頻率范圍調(diào)諧的片上可變電感，其特征在于：采用八層金屬互連線的標(biāo)準(zhǔn)CMOS層次關(guān)系，不同金屬層通過(guò)通孔連接，具體由五個(gè)電感線圈L1～L5組成，其中，L1為主線圈，L2～L5為次級(jí)線圈；每一個(gè)電感線圈由最高層金屬N8的金屬互連線實(shí)現(xiàn)，其中，在主線圈L1的中點(diǎn)，通過(guò)通孔VIA7將第七層金屬N7和第八層金屬N8相連，將主線圈L1的中點(diǎn)利用金屬層N7引出作為中心抽頭；電感線圈L2位于主線圈L1的內(nèi)部，電感線圈L3和電感線圈L4分別位于主線圈L1的左邊和右邊，電感線圈L5位于主線圈L1的前邊；

采用晶體管M1～M3作為開(kāi)關(guān)，由晶體管M1控制電感線圈L2電流的通斷，由晶體管M3控制電感線圈L5電流的通斷，由晶體管M2控制電感線圈L3、L4中電流的通斷，從而改變主線圈L1中的等效電感值；其中，電感線圈L3和電感線圈L4作為同一個(gè)電感線圈使用，采用相同的晶體管M2控制，以保持可變電感的對(duì)稱(chēng)性；次級(jí)線圈L2～L5的兩端通過(guò)過(guò)孔和晶體管M1～M3的源漏在金屬層N1相連接。