[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的接墊結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310200384.7 | 申請(qǐng)日： | 2013-05-27 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN104183563B | 公開（公告）日： | 2017-05-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 廖修漢;莊哲輔;蔡耀庭;陳鶴庭 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 華邦電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/485 | 分類號(hào)： | H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11127 | 代理人： | 韓嫚嫚 |
| 地址： | 中國臺(tái)*** | 國省代碼： | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 裝置 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置的接墊結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
一第一導(dǎo)電層，設(shè)置于一第一介電層的內(nèi)部，其中，該第一導(dǎo)電層具有一第一表面積；
一第二介電層，設(shè)置于該第一介電層與該第一導(dǎo)電層上；
一第一導(dǎo)電介層物，設(shè)置于該第二介電層的內(nèi)部，并位于該第一導(dǎo)電層上，其中，該第一導(dǎo)電介層物具有一第二表面積；
一第三介電層，設(shè)置于該第二介電層與該第一導(dǎo)電介層物上；
一第二導(dǎo)電層，設(shè)置于該第三介電層的內(nèi)部，并位于該第一導(dǎo)電介層物上，其中，該第二導(dǎo)電層具有一第三表面積；
一保護(hù)層，設(shè)置于該第二導(dǎo)電層與該第三介電層上；以及
一開口，設(shè)置于該保護(hù)層內(nèi)，部分露出該第二導(dǎo)電層，其中該第一導(dǎo)電層與該第一導(dǎo)電介層物對(duì)準(zhǔn)該第二導(dǎo)電層的中心處而設(shè)置，該第一表面積、該第二表面積與該第三表面積之間具有介于0.29:0.28:1～0.43:0.42:1的比例。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的接墊結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二導(dǎo)電層為四邊形的一平板狀外形，該第一導(dǎo)電介層物與該第一導(dǎo)電層均為八邊形的一平板狀外形。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的接墊結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一介電層、該第二介電層與該第三介電層的材料包括氧化硅、氮化硅或低介電常數(shù)介電材料。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的接墊結(jié)構(gòu)，其特征在于，該保護(hù)層的材料包括聚亞酰胺或氮化硅。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的接墊結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一導(dǎo)電層、該第二導(dǎo)電層與該第一導(dǎo)電介層物的材料包括鎢、鋁或銅。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的接墊結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：
一對(duì)第三導(dǎo)電層，分別設(shè)置于該第一介電層的內(nèi)部且位于該第一導(dǎo)電層的相對(duì)側(cè)；以及
多個(gè)第二導(dǎo)電介層物，分別設(shè)置于該第二介電層的內(nèi)部且位于該第一導(dǎo)電介層物的相對(duì)側(cè)并位于該些第三導(dǎo)電層上，該多個(gè)第二導(dǎo)電介層物電性連結(jié)該第三導(dǎo)電層與該第二導(dǎo)電層，該些第三導(dǎo)電層為長條狀外形并分別具有一第四表面積，該些第二導(dǎo)電介層物形成經(jīng)規(guī)則排列的一對(duì)陣列物，該些陣列物具有一總表面積，該第四表面積與該第三表面積之間具有介于0.06:1～0.28:1的比例，該總表面積與該第三表面積之間具有介于0.001:1～0.002:1的比例。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置的接墊結(jié)構(gòu)，其特征在于，該些第三導(dǎo)電層與該些第二導(dǎo)電介層物的材料包括鎢、鋁或銅。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的接墊結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：
一第四介電層，位于該第一介電層之下；
多個(gè)第二導(dǎo)電介層物，設(shè)置于該第四介電層內(nèi)并實(shí)體接觸該第一導(dǎo)電層。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置的接墊結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第四介電層的厚度分別大于該第一介電層、第二介電層與該第三介電層的厚度。
10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置的接墊結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第四介電層的材料包括氧化硅、氮化硅或低介電常數(shù)介電材料，該些第二導(dǎo)電介層物的材料包括鎢、鋁或銅。
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