[發明專利]半導體裝置的接墊結構

有效

• 申請號: 201310200384.7
• 申請日: 2013-05-27
• 公開（公告）號: CN104183563B
• 公開（公告）日: 2017-05-17
• 發明（設計）人: 廖修漢;莊哲輔;蔡耀庭;陳鶴庭
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司11127
• 代理人: 韓嫚嫚

1.一種半導體裝置的接墊結構，其特征在于，包括：

一第一導電層，設置于一第一介電層的內部，其中，該第一導電層具有一第一表面積；

一第二介電層，設置于該第一介電層與該第一導電層上；

一第一導電介層物，設置于該第二介電層的內部，并位于該第一導電層上，其中，該第一導電介層物具有一第二表面積；

一第三介電層，設置于該第二介電層與該第一導電介層物上；

一第二導電層，設置于該第三介電層的內部，并位于該第一導電介層物上，其中，該第二導電層具有一第三表面積；

一保護層，設置于該第二導電層與該第三介電層上；以及

一開口，設置于該保護層內，部分露出該第二導電層，其中該第一導電層與該第一導電介層物對準該第二導電層的中心處而設置，該第一表面積、該第二表面積與該第三表面積之間具有介于0.29:0.28:1～0.43:0.42:1的比例。

2.如權利要求1所述的半導體裝置的接墊結構，其特征在于，該第二導電層為四邊形的一平板狀外形，該第一導電介層物與該第一導電層均為八邊形的一平板狀外形。

3.如權利要求1所述的半導體裝置的接墊結構，其特征在于，該第一介電層、該第二介電層與該第三介電層的材料包括氧化硅、氮化硅或低介電常數介電材料。

4.如權利要求1所述的半導體裝置的接墊結構，其特征在于，該保護層的材料包括聚亞酰胺或氮化硅。

5.如權利要求1所述的半導體裝置的接墊結構，其特征在于，該第一導電層、該第二導電層與該第一導電介層物的材料包括鎢、鋁或銅。

6.如權利要求1所述的半導體裝置的接墊結構，其特征在于，還包括：

一對第三導電層，分別設置于該第一介電層的內部且位于該第一導電層的相對側；以及

多個第二導電介層物，分別設置于該第二介電層的內部且位于該第一導電介層物的相對側并位于該些第三導電層上，該多個第二導電介層物電性連結該第三導電層與該第二導電層，該些第三導電層為長條狀外形并分別具有一第四表面積，該些第二導電介層物形成經規則排列的一對陣列物，該些陣列物具有一總表面積，該第四表面積與該第三表面積之間具有介于0.06:1～0.28:1的比例，該總表面積與該第三表面積之間具有介于0.001:1～0.002:1的比例。

7.如權利要求6所述的半導體裝置的接墊結構，其特征在于，該些第三導電層與該些第二導電介層物的材料包括鎢、鋁或銅。

8.如權利要求1所述的半導體裝置的接墊結構，其特征在于，還包括：

一第四介電層，位于該第一介電層之下；

多個第二導電介層物，設置于該第四介電層內并實體接觸該第一導電層。

9.如權利要求8所述的半導體裝置的接墊結構，其特征在于，該第四介電層的厚度分別大于該第一介電層、第二介電層與該第三介電層的厚度。

10.如權利要求8所述的半導體裝置的接墊結構，其特征在于，該第四介電層的材料包括氧化硅、氮化硅或低介電常數介電材料，該些第二導電介層物的材料包括鎢、鋁或銅。