[發(fā)明專利]硅料中雜質(zhì)的處理方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310200070.7
• 申請日: 2013-05-27
• 公開（公告）號: CN103266347A
• 公開（公告）日: 2013-08-28
• 發(fā)明（設計）人: 白劍銘
• 申請（專利權）人: 英利能源（中國）有限公司
• 主分類號: C30B15/14
• 分類號: C30B15/14;C30B15/20
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 吳貴明;張永明

1.一種硅料中雜質(zhì)的處理方法，其特征在于，包括雜質(zhì)分離步驟：使加熱器的溫度高于雜質(zhì)的沸點且低于硅料的沸點，以使所述雜質(zhì)在氣態(tài)下與所述硅料分離。

2.根據(jù)權利要求1所述的硅料中雜質(zhì)的處理方法，其特征在于，在所述雜質(zhì)分離步驟之前，還包括預處理步驟，所述預處理步驟包括：使石墨坩堝位于所述加熱器的高溫區(qū)。

3.根據(jù)權利要求1所述的硅料中雜質(zhì)的處理方法，其特征在于，在所述雜質(zhì)分離步驟中，所述加熱器的功率為85KW至95KW。

4.根據(jù)權利要求2所述的硅料中雜質(zhì)的處理方法，其特征在于，在進行所述雜質(zhì)分離步驟時，觀察所述石墨坩堝內(nèi)的石英堝中的硅料，如果出現(xiàn)沸騰現(xiàn)象，下調(diào)所述加熱器的功率，以使所述加熱器的溫度高于所述雜質(zhì)的沸點且低于所述硅料的沸點。

5.根據(jù)權利要求4所述的硅料中雜質(zhì)的處理方法，其特征在于，所述加熱器的下調(diào)功率為3KW至7KW。

6.根據(jù)權利要求1至5中任一項所述的硅料中雜質(zhì)的處理方法，其特征在于，所述雜質(zhì)分離步驟的處理時間為1.5小時至2小時。

7.根據(jù)權利要求1至5中任一項所述的硅料中雜質(zhì)的處理方法，其特征在于，在所述雜質(zhì)分離步驟之后還包括將所述雜質(zhì)分離步驟分離出的所述雜質(zhì)排出單晶爐的雜質(zhì)排除步驟。

8.根據(jù)權利要求7所述的硅料中雜質(zhì)的處理方法，其特征在于，所述雜質(zhì)排除步驟包括：調(diào)節(jié)所述單晶爐內(nèi)的惰性氣體的流量，使所述雜質(zhì)伴隨所述惰性氣體流出所述單晶爐。

9.根據(jù)權利要求8所述的硅料中雜質(zhì)的處理方法，其特征在于，所述惰性氣體的流量為40L/min至60L/min。

10.根據(jù)權利要求8所述的硅料中雜質(zhì)的處理方法，其特征在于，所述惰性氣體為氬氣。