[發(fā)明專利]一種透明阻變存儲(chǔ)器及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310200068.X
• 申請(qǐng)日: 2013-05-27
• 公開（公告）號(hào): CN103280525A
• 公開（公告）日: 2013-09-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 閆小兵;郝華;婁建忠;劉保亭
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 河北大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L45/00
• 分類號(hào): H01L45/00
• 代理公司: 石家莊國(guó)域?qū)＠虡?biāo)事務(wù)所有限公司 13112
• 代理人: 白海靜

1.一種透明阻變存儲(chǔ)器，是在透明襯底上依次集成有下電極層、阻變層和上電極層，其特征是，所述下電極層和上電極層為非晶的銦鎵鋅氧化物薄膜，所述阻變層為非晶的氧化鎵薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明阻變存儲(chǔ)器，其特征是，沉積所述氧化鎵薄膜所用靶材為三氧化二鎵靶材。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明阻變存儲(chǔ)器，其特征是，所述透明襯底為石英玻璃、聚乙烯、聚對(duì)萘二甲酸乙二醇酯、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯或聚酰亞胺中的任意一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明阻變存儲(chǔ)器，其特征是，所述銦鎵鋅氧化物薄膜的厚度為50‐1000nm，所述氧化鎵薄膜的厚度為3‐500nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的透明阻變存儲(chǔ)器，其特征是，所述銦鎵鋅氧化物薄膜的厚度為100‐200nm，所述氧化鎵薄膜的厚度為20‐200nm。

6.一種如權(quán)利要求1所述的透明阻變存儲(chǔ)器的制備方法，其特征是，包括如下步驟：

a）將上電極層、下電極層的靶材和阻變層的靶材固定在進(jìn)行射頻磁控濺射的制膜系統(tǒng)生長(zhǎng)室的靶臺(tái)上，將透明襯底進(jìn)行預(yù)處理后，固定在生長(zhǎng)室的襯底臺(tái)上；

b）將生長(zhǎng)室抽真空至2.0×10^‐4Pa，然后通入氬氣，啟動(dòng)射頻發(fā)射器使生長(zhǎng)室內(nèi)起輝后調(diào)節(jié)氣壓穩(wěn)定在0.5Pa，然后將襯底加熱并保持在20‐450℃，以10‐200W的濺射功率預(yù)濺射10min后，在透明襯底上沉積作為下電極層的銦鎵鋅氧化物薄膜；

c）下電極層制備完畢后，將生長(zhǎng)室抽真空至5.0×10^‐4Pa，然后通入氬氣，啟動(dòng)射頻發(fā)射器使生長(zhǎng)室內(nèi)起輝后調(diào)節(jié)氣壓穩(wěn)定在3Pa，然后以10‐150W的濺射功率預(yù)濺射10分鐘后，在所述下電極層上沉積作為阻變層的氧化鎵薄膜；

d）阻變層制備完畢后，在所述阻變層上放置金屬制掩膜版，將生長(zhǎng)室再次抽真空至2.0×10^‐4Pa，然后通入氬氣，啟動(dòng)射頻發(fā)射器使生長(zhǎng)室內(nèi)起輝后調(diào)節(jié)氣壓穩(wěn)定在0.5Pa，然后以與步驟b）同樣的濺射功率，在所述阻變層上沉積作為上電極層的銦鎵鋅氧化物薄膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的透明阻變存儲(chǔ)器的制備方法，其特征是，所述銦鎵鋅氧化物薄膜的沉積速率為0.5‐10nm/min，所述氧化鎵薄膜的沉積速率為0.8‐2.0nm/min。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的透明阻變存儲(chǔ)器的制備方法，其特征是，所述金屬掩膜版具直徑為0.1‐0.3mm的圓形孔洞。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的透明阻變存儲(chǔ)器的制備方法，其特征是，步驟b）、c）和d）所通入的氬氣流量均為50sccm。