[發(fā)明專利]HIT專屬單層膜光暗電導性能測試設備和測試方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310199846.8 | 申請日： | 2013-05-24 |
| 公開（公告）號： | CN104181401A | 公開（公告）日： | 2014-12-03 |
| 發(fā)明（設計）人： | 郭群超;柳琴;龐紅杰;張愿成;張軍 | 申請（專利權）人： | 上海太陽能工程技術研究中心有限公司 |
| 主分類號： | G01R29/00 | 分類號： | G01R29/00 |
| 代理公司： | 上海科盛知識產(chǎn)權代理有限公司 31225 | 代理人： | 楊元焱 |
| 地址： | 200241 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | hit 專屬 單層 膜光暗 電導 性能 測試 設備 方法 | ||
1.一種HIT專屬單層膜光暗電導性能測試設備，其特征在于包括：
樣品臺，含有兩個壓片探針，并且整個樣品臺內(nèi)置在一個暗盒里，完全密封：
光源，設置在樣品臺的正上方；
可編程的靜電計，設置在一個小屏蔽罩內(nèi)，并用屏蔽信號線和兩個壓片探針連接并接地；
大屏蔽罩，將上述樣品臺、光源和可編程的靜電計屏蔽在內(nèi)，并且接地。
2.根據(jù)權利要求1所述HIT專屬單層膜光暗電導性能的測試設備，其特征在于，所述光源為溴鎢燈或者其它鹵素燈模擬光源。
3.根據(jù)權利要求1所述測試設備進行的HIT專屬單層膜光暗電導性能的測試方法，其特征在于，包括以下步驟：
A、打開大屏蔽罩，將所要測試的樣品薄膜放入暗盒中的樣品臺上，將兩個壓片探針分別接觸樣品薄膜上的兩條電極；
B、關閉光源，通過靜電計對樣品薄膜上的兩條電極施加100V的直流電壓，讀出顯示的暗電流Id，通過公式計算出薄膜的暗電導率σd；
C、打開光源，用光源照射測試樣品，通過靜電計對樣品薄膜上的兩條電極施加100V的直流電壓，讀出顯示的光電流I1，通過公式計算出薄膜的光電導率σ1；
D、將光電導率σ1除以暗電導率σd，即得到薄膜的光敏特性值；
上述公式中，I為回路電流，d為薄膜厚度，W為電極間距，L為電極長度，V為外加電壓。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海太陽能工程技術研究中心有限公司;，未經(jīng)上海太陽能工程技術研究中心有限公司;許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310199846.8/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
