[發明專利]雙重圖案化的方法有效
| 申請號: | 201310198556.1 | 申請日: | 2013-05-24 |
| 公開(公告)號: | CN103681255A | 公開(公告)日: | 2014-03-26 |
| 發明(設計)人: | 李鎮瑋;劉弘仁 | 申請(專利權)人: | 南亞科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/033 | 分類號: | H01L21/033;G03F7/00 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
| 地址: | 中國臺灣桃園縣龜山*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 雙重 圖案 方法 | ||
1.一種雙重圖案化的方法,其特征在于,包括:
提供一基底,上述基底包括第一區及第二區;
在上述基底上形成目標層;
在上述目標層上形成第一圖案化的光致抗蝕劑層,上述第一圖案化的光致抗蝕劑層在上述第一區具有多個第一開口且具有第一厚度,而在上述第二區上的上述第一圖案化的光致抗蝕劑層至少有第一部分的第二厚度小于在上述第一區上的上述第一圖案化的光致抗蝕劑層的上述第一厚度;以及
于上述第一開口之中以及上述第一圖案化的光致抗蝕劑層上形成第二光致抗蝕劑層。
2.根據權利要求1所述的雙重圖案化的方法,其特征在于,上述第二區上的上述第一圖案化的光致抗蝕劑層還包括緊鄰上述第一區的第二部分,上述第二部分的第三厚度大于上述第一部分的上述第二厚度,且上述第二部分與上述第一部分連續。
3.根據權利要求2所述的雙重圖案化的方法,其特征在于,上述第二部分的上述第三厚度等于在上述第一區上的上述第一圖案化的光致抗蝕劑層的上述第一厚度。
4.根據權利要求1所述的雙重圖案化的方法,其特征在于,上述第一圖案化的光致抗蝕劑層的形成方法包括:
于上述基底上形成第一光致抗蝕劑層;
以光罩對上述第一光致抗蝕劑層進行曝光,其中上述光罩對應上述第二區的透光率低于對應上述第一區的上述第一開口的透光率;以及
顯影上述第一光致抗蝕劑層,以形成上述第一圖案化的光致抗蝕劑層。
5.根據權利要求4所述的雙重圖案化的方法,其特征在于,上述光罩包括三調式光罩。
6.根據權利要求5所述的雙重圖案化的方法,其特征在于,上述三調式光罩包括:
透明基板,包括第三區及第四區,其中上述第三區對應上述基板的上述第一區,上述第四區對應上述基板的上述第二區;
第一半透光層,位于上述透明基板的上述第三區與上述第四區上;以及
第二半透光層,至少位于上述第三區中的上述第一半透光層上;
其中在上述第三區上的上述第一半透光層以及上述第二半透光層具有多個第二開口,上述第二開口對應上述基底的上述第一區上的上述第一開口,且裸露出上述第三區中的上述透明基板。
7.根據權利要求6所述的雙重圖案化的方法,其特征在于,上述透明基板、上述第一半透光層與上述第二半透光層的透光率彼此不同。
8.根據權利要求7所述的雙重圖案化的方法,其特征在于,上述透明基板的透光率高于上述第一半透光層的透光率,且上述第一半透光層的透光率高于上述第二半透光層的透光率。
9.根據權利要求8所述的雙重圖案化的方法,其特征在于,上述第一半透光層的透光率為20%至60%;上述第二半透光層的透光率為30%至70%。
10.根據權利要求6所述的雙重圖案化的方法,其特征在于,上述透明基板的材料包括石英。
11.根據權利要求6所述的雙重圖案化的方法,其特征在于,上述第一半透光層及上述第二半透光層包括氮化硅鉬層,其具有不同的x及y的組合。
12.根據權利要求1所述的雙重圖案化的方法,其特征在于,在上述第二區上的上述第一圖案化的光致抗蝕劑層的至少上述第一部分的上述第二厚度是在上述第一區上的上述第一圖案化的光致抗蝕劑層的上述第一厚度的30%至70%。
13.根據權利要求1所述的雙重圖案化的方法,其特征在于,在上述第二區上的上述第一圖案化的光致抗蝕劑層的上述第一部分的上述第二厚度與上述第二光致抗蝕劑層的厚度的總和是上述第一區上的上述第二光致抗蝕劑層的厚度的85%至95%。
14.根據權利要求1所述的雙重圖案化的方法,其特征在于,在上述第二區上的上述第一圖案化的光致抗蝕劑層的上述第一部分的上述第二厚度與上述第二光致抗蝕劑層的厚度的總和與上述第一區上的上述第二光致抗蝕劑層的厚度差為50埃至150埃。
15.根據權利要求1所述的雙重圖案化的方法,其特征在于,還包括:
圖案化上述第二光致抗蝕劑層,以在上述第一區上的上述第一圖案化的光致抗蝕劑層的上述第一開口中形成一第二圖案化的光致抗蝕劑層;以及
以上述第一圖案化的光致抗蝕劑層以及上述第二圖案化的光致抗蝕劑層為罩幕,圖案化上述目標層。
16.根據權利要求1所述的雙重圖案化的方法,其特征在于,上述第一區包括晶胞區;上述第二區包括周邊區。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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