[發明專利]迭對標記及其制造方法

有效

• 申請號: 201310198334.X
• 申請日: 2013-05-24
• 公開（公告）號: CN104183573B
• 公開（公告）日: 2018-11-30
• 發明（設計）人: 蔡高財;吳仁杰;詹孟璋
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L21/02;G03F9/00
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 趙根喜;李昕巍

1.一種迭對標記，包括：

核心標記圖案，所述核心標記圖案中具有多個突部，兩個相鄰的所述突部之間具有第一溝渠；以及

至少一保護圖案，位于所述核心標記圖案周圍，所述保護圖案與所述核心標記圖案之間具有至少一第二溝渠，

其中所述第二溝渠的寬度是所述第一溝渠的寬度的75倍至227倍，

其中所述第二溝渠圍繞所述核心標記圖案，

其中所述保護圖案的寬度是各所述突部的寬度的400倍至818倍。

2.如權利要求1所述的迭對標記，其中所述迭對標記位于基底中、位于導體層中、或位于多層結構中。

3.如權利要求1所述的迭對標記，還包括填充層，填充于所述第一溝渠之中以及所述第二溝渠之中。

4.如權利要求1所述的迭對標記，其中，

所述保護圖案包括第一保護圖案部分及第二保護圖案部分，所述第一保護圖案部分及所述第二保護圖案部分的輪廓為框形，且所述第一保護圖案部分配置在所述第二保護圖案部分之外；以及

所述核心標記圖案的輪廓為框形，且所述核心標記圖配置在所述第一保護圖案部分與所述第二保護圖案部分之間。

5.如權利要求1所述的迭對標記，其中所述核心標記圖案及所述保護圖案的輪廓為框形，且所述核心標記圖案配置在所述保護圖案之內。

6.如權利要求1所述的迭對標記，其中所述保護圖案包括多個保護圖案部分，且所述多個保護圖案部分配置在所述核心標記圖案的周圍。

7.如權利要求1所述的迭對標記，其中核心標記圖案包括多個核心標記圖案部分，且所述多個核心標記圖案部分配置在保護圖案的周圍。

8.一種迭對標記的制造方法，包括：

提供材料層，所述材料層包括存儲胞區、周邊電路區以及迭對標記區，其中所述迭對標記區包括核心標記圖案區以及保護圖案區；

在所述存儲胞區及所述核心標記圖案區的所述材料層上形成多個犧牲圖案；

在所述多個犧牲圖案側壁形成多個間隙壁；

移除所述犧牲圖案；

在所述材料層上形成犧牲層及圖案化罩幕層，所述圖案化罩幕層至少覆蓋所述保護圖案區的所述材料層的部分以及部分的所述周邊電路區上的所述材料層；以及

以所述圖案化罩幕層以及所述多個間隙壁為罩幕，圖案化所述材料層，以在所述核心標記圖案區中形成核心標記圖案并在所述保護圖案區中形成至少一保護圖案，其中所述核心標記圖案中多個突部，兩個相鄰的所述突部之間具有第一溝渠，且所述保護圖案與所述核心標記圖案之間具有第二溝渠，

其中所述第二溝渠的寬度是所述第一溝渠的寬度的75倍至227倍，

其中所述第二溝渠圍繞所述核心標記圖案，

其中，所述保護圖案的寬度是各所述突部寬度的400倍至818倍。

9.如權利要求8所述的迭對標記的制造方法，其中使用圖案化罩幕層以及所述多個間隙壁為罩幕，圖案化所述材料層的步驟還包括：在所述存儲胞區中形成多個第三溝渠以及在所述周邊電路區中形成多個第四溝渠。

10.如權利要求9所述的迭對標記的制造方法，還包括：

在所述材料層上形成填充層，所述填充層填充所述第一溝渠、所述第二溝渠、所述第三溝渠及所述第四溝渠。

11.如權利要求10所述的迭對標記的制造方法，其中形成所述填充層的步驟包括平坦化工藝，且所述平坦化工藝包括化學機械研磨法或回蝕刻法。

12.如權利要求10所述的迭對標記的制造方法，其中所述填充層包括絕緣層，且形成在所述第三溝渠及所述第四溝渠中的各所述填充層分別做為隔離結構。

13.如權利要求8所述的迭對標記的制造方法，其中所述材料層包括基底、導體層或多層結構。