[發明專利]恩替卡韋中間體及其制備方法在審
| 申請號: | 201310198175.3 | 申請日: | 2013-05-23 |
| 公開(公告)號: | CN104177396A | 公開(公告)日: | 2014-12-03 |
| 發明(設計)人: | 應律;陳清泉;胡俊斌 | 申請(專利權)人: | 浙江星月藥物科技股份有限公司 |
| 主分類號: | C07F7/10 | 分類號: | C07F7/10;C07F7/08;C07D473/18 |
| 代理公司: | 上海弼興律師事務所 31283 | 代理人: | 薛琦;王衛彬 |
| 地址: | 314213 浙江省嘉興市平湖市獨山港鎮乍全*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 恩替卡韋 中間體 及其 制備 方法 | ||
1.一種恩替卡韋中間體化合物5的制備方法,其特征在于包括以下步驟:非質子有機溶劑中,將化合物6和化合物7進行開環反應,得到化合物5即可;
其中,R2為如下所示的取代基:
R21為取代或未取代的吡啶基、或者取代或未取代的C6~C10芳基,所述的取代的吡啶基中的取代基為C1~C3烷基、鹵素和C1~C3烷氧基中的一種或多種,每類取代基的數目為一個或多個;所述的取代的C6~C10芳基中的取代基為C1~C3烷基、鹵素和C1~C3烷氧基中的一種或多種,每類取代基的數目為一個或多個;
Y為連接或不連接取代基的3~9個碳原子,從而與Si形成取代或未取代的4~10元的飽和或不飽和的硅碳環;或者,Y為連接或不連接取代基的,總數為3~9個的碳原子和雜原子,從而與Si形成取代或未取代的4~10元的飽和或不飽和的碳硅雜環,所述雜原子為O、S或N,雜原子的數目為1~3個;所述的取代中的取代基為C1~C3烷基;所述的硅碳環或碳硅雜環為一個環或者并在一起的兩個環;
P2為烷氧基取代的C1~C6的烷基或三甲基硅乙氧甲基;其中所述的烷氧基為C1~C6的烷氧基,R4為一個或多個取代基,R5為一個或兩個取代基,R4選自氫、鹵素、C1~C6的直鏈或支鏈烷基和硝基中的一個或多個;R5選自氫、鹵素、C1~C6的直鏈或支鏈烷基和硝基中的一個或兩個;
R6為氫,或者一個或多個選自C1~C6的直鏈或支鏈烷氧基、C1~C6的直鏈或支鏈烷基和鹵原子的取代基。
2.如權利要求1所述的恩替卡韋中間體化合物5的制備方法,其特征在于:所述的R2為如下任一取代基:
或
取代基IIa中,n為0~2,p為0~2,q為1~2,X和Y各自獨立的為碳、氧或氮,R3為單取代或者多取代,當R3為多取代時,取代基相同或者不同,R3選自甲基、乙基、丙基或異丙基;當n為0時,X為碳,當p為0時,Y為碳。
3.如權利要求2所述的恩替卡韋中間體的制備方法,其特征在于:所述的取代基IIa為如下任一取代基:
4.如權利要求1所述的恩替卡韋中間體化合物5的制備方法,其特征在于:所述的R21為如下任一取代基:
5.如權利要求1所述的恩替卡韋中間體化合物5的制備方法,其特征在于:
當所述的P2為烷氧基取代的C1~C6的烷基時,所述的烷氧基取代的C1~C6的烷基為甲氧甲基或乙氧甲基;
當所述的R4為C1~C6的直鏈或支鏈烷基時,所述的C1~C6的直鏈或支鏈烷基為甲基、乙基、丙基、異丙基或叔丁基;
當所述的R5為C1~C6的直鏈或支鏈烷基時,所述的C1~C6的直鏈或支鏈烷基為甲基、乙基、丙基、異丙基或叔丁基。
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