[發明專利]一種六角形粗化表面的LED外延片的制備方法有效
| 申請號： | 201310197875.0 | 申請日： | 2013-05-25 |
| 公開（公告）號： | CN103325908B | 公開（公告）日： | 2017-08-29 |
| 發明（設計）人： | 王敏帥;黃曉菁;蔡曉梅;楊蘭;鄭凱 | 申請（專利權）人： | 集美大學 |
| 主分類號： | H01L33/22 | 分類號： | H01L33/22 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 361021 福建省廈門市*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 六角形 表面 led 外延 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種六角形粗化表面的LED外延片的制備方法，步驟為：
1)在半導體襯底上依次長出緩沖層、N-GaN層、量子阱層、及P-GaN層和/或蓋層；2)通過對P-GaN層或蓋層或兩者的任意組合摻雜元素銦，從而使所述P-GaN層形成六角形粗化表面；所述六角形粗化表面為六角形位錯坑。
2.如權利要求1所述的六角形粗化表面的LED外延片的制備方法，其特征在于：在所述半導體襯底上生長各層以及粗化層的形成都是連續性生長。
3.如權利要求1所述的六角形粗化表面的LED外延片的制備方法，其特征在于：所述生長采用金屬有機物化學氣相沉積法進行。
4.如權利要求1所述的六角形粗化表面的LED外延片的制備方法，其特征在于：所述半導體襯底的材料為硅、藍寶石、及SiC中的一種。
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