[發(fā)明專利]一種感應(yīng)燈電路及燈具在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310196921.5 | 申請日: | 2013-05-23 |
| 公開(公告)號: | CN104185337A | 公開(公告)日: | 2014-12-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 周明杰;徐亮亮 | 申請(專利權(quán))人: | 海洋王(東莞)照明科技有限公司;海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H05B37/02 | 分類號: | H05B37/02 |
| 代理公司: | 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所 44237 | 代理人: | 張全文 |
| 地址: | 523000 廣東省東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 感應(yīng) 電路 燈具 | ||
1.一種感應(yīng)燈電路,其特征在于,所述感應(yīng)燈電路包括:
電阻R1、電阻R2、電阻R3、二極管D1、二極管D2、二極管D3、電容C2、電容C3、電容C4、電容C5、電容C6、電容C7、燈LAMP、繼電器K1、開關(guān)管、人體感應(yīng)器U1和穩(wěn)壓芯片U2;
所述二極管D1的陽極接交流電的火線L,所述二極管D1的陰極通過所述電阻R1接穩(wěn)壓芯片U2的輸入端Vin,所述穩(wěn)壓芯片U2的輸出端Vout接所述人體感應(yīng)器U1的電源端,所述穩(wěn)壓芯片U2的接地端GND接地,所述電容C2與電阻R1并聯(lián),所述繼電器K1的開關(guān)S1與燈LAMP串聯(lián)在所述交流電的火線L和零線N之間,所述二極管D2、電容C3和電容C4并聯(lián)在所述穩(wěn)壓芯片U2的輸入端Vin與地之間,所述電容C5和電容C6并聯(lián)在所述穩(wěn)壓芯片U2的輸出端Vout與地之間,所述二極管D3的陰極接所述穩(wěn)壓芯片U2的輸入端Vin,所述二極管D3的陽極接所述開關(guān)管的高電位端,所述繼電器K1的線圈與二極管D3并聯(lián),所述開關(guān)管的低電位端接地,所述開關(guān)管的控制端通過電阻R3接人體感應(yīng)器U1的輸出端,所述電阻R2和電容C7串聯(lián)在所述開關(guān)管的控制端與地之間,所述人體感應(yīng)器U1的接地端接地。
2.如權(quán)利要求1所述的感應(yīng)燈電路,其特征在于,所述開關(guān)管采用NPN型三極管Q1,所述NPN型三極管Q1的基極為開關(guān)管的控制端,所述NPN型三極管Q1的集電極為開關(guān)管的高電位端,所述NPN型三極管Q1的發(fā)射極為開關(guān)管的低電位端。
3.如權(quán)利要求1所述的感應(yīng)燈電路,其特征在于,所述開關(guān)管采用N型MOS管Q2,所述N型MOS管Q2的柵極為開關(guān)管的控制端,所述N型MOS管Q2的漏極為開關(guān)管的高電位端,所述N型MOS管Q2的源極為開關(guān)管的低電位端。
4.一種燈具,包括感應(yīng)燈電路,其特征在于,所述感應(yīng)燈電路包括:
電阻R1、電阻R2、電阻R3、二極管D1、二極管D2、二極管D3、電容C2、電容C3、電容C4、電容C5、電容C6、電容C7、燈LAMP、繼電器K1、開關(guān)管、人體感應(yīng)器U1和穩(wěn)壓芯片U2;
所述二極管D1的陽極接交流電的火線L,所述二極管D1的陰極通過所述電阻R1接穩(wěn)壓芯片U2的輸入端Vin,所述穩(wěn)壓芯片U2的輸出端Vout接所述人體感應(yīng)器U1的電源端,所述穩(wěn)壓芯片U2的接地端GND接地,所述電容C2與電阻R1并聯(lián),所述繼電器K1的開關(guān)S1與燈LAMP串聯(lián)在所述交流電的火線L和零線N之間,所述二極管D2、電容C3和電容C4并聯(lián)在所述穩(wěn)壓芯片U2的輸入端Vin與地之間,所述電容C5和電容C6并聯(lián)在所述穩(wěn)壓芯片U2的輸出端Vout與地之間,所述二極管D3的陰極接所述穩(wěn)壓芯片U2的輸入端Vin,所述二極管D3的陽極接所述開關(guān)管的高電位端,所述繼電器K1的線圈與二極管D3并聯(lián),所述開關(guān)管的低電位端接地,所述開關(guān)管的控制端通過電阻R3接人體感應(yīng)器U1的輸出端,所述電阻R2和電容C7串聯(lián)在所述開關(guān)管的控制端與地之間,所述人體感應(yīng)器U1的接地端接地。
5.如權(quán)利要求4所述的燈具,其特征在于,所述開關(guān)管采用NPN型三極管Q1,所述NPN型三極管Q1的基極為開關(guān)管的控制端,所述NPN型三極管Q1的集電極為開關(guān)管的高電位端,所述NPN型三極管Q1的發(fā)射極為開關(guān)管的低電位端。
6.如權(quán)利要求4所述的燈具,其特征在于,所述開關(guān)管采用N型MOS管Q2,所述N型MOS管Q2的柵極為開關(guān)管的控制端,所述N型MOS管Q2的漏極為開關(guān)管的高電位端,所述N型MOS管Q2的源極為開關(guān)管的低電位端。
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