[發明專利]一種導電石墨烯薄膜及其制備方法和應用

無效

• 申請號: 201310196701.2
• 申請日: 2013-05-23
• 公開（公告）號: CN104183300A
• 公開（公告）日: 2014-12-03
• 發明（設計）人: 周明杰;馮小明;陳吉星;王平
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;H01B13/00;H01L51/52
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種導電石墨烯薄膜，其特征在于，包括：

玻璃基板；以及

設置在玻璃基板表面的功能層；

所述功能層包括第一石墨烯層、第二石墨烯層以及介于第一石墨烯層和第二石墨烯層之間的鋁摻雜氧化鋅層；所述第一石墨烯層和第二石墨烯層的厚度均為40nm～80nm，所述鋁摻雜氧化鋅層的厚度為20nm～40nm。

2.一種導電石墨烯薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

（1）提供清潔的玻璃基板；

（2）在玻璃基板上制備功能層；

（a）將所述清潔的玻璃基板置于氣相沉積室中，通入氫氣使氣相沉積室的壓強維持在10Pa～1000Pa，隨后將氣相沉積室溫度升溫至600℃～1000℃，再通入碳源氣體使氣相沉積室的壓強維持在10Pa～1000Pa，反應完成后，制得沉積有第一石墨烯層的基板，所述第一石墨烯層的厚度為40nm～80nm；

（b）將沉積有第一石墨烯層的基板放入真空度為1×10^-5Pa～1×10^-3Pa的真空鍍室中，加熱所述沉積有第一石墨烯層的基板溫度達到250℃～750℃，通入氣體流量為10sccm～35sccm的氬氣，以鋁摻雜氧化鋅作為靶材，在第一石墨烯層上濺射制備鋁摻雜氧化鋅層，所述基板和靶材的間距為45mm～95mm，所述濺射速度為0.02nm/s～0.5nm/s，所述鋁摻雜氧化鋅層厚度為20nm～40nm；

（c）在鋁摻雜氧化鋅層上采用氣相沉積的方法制備第二石墨烯層，第二石墨烯層的制備方法同步驟（2）第一石墨烯層的制備，所述第二石墨烯層的厚度為40nm～80nm；得到所述導電石墨烯薄膜。

3.如權利要求2所述的導電石墨烯薄膜的制備方法，其特征在于，所述碳源氣體為甲烷、乙烷、丙烷、丁烷和戊烷中的一種或多種。

4.如權利要求2所述的導電石墨烯薄膜的制備方法，其特征在于，所述基板和靶材的間距為60mm。

5.如權利要求2所述的導電石墨烯薄膜的制備方法，其特征在于，所述基板溫度為500℃。

6.如權利要求2所述的導電石墨烯薄膜的制備方法，其特征在于，通入氬氣的氣體流量為25sccm。

7.一種有機電致發光器件，包括依次層疊的陽極、空穴傳輸層，發光層，電子傳輸層，電子注入層以及陰極，其特征在于，所述陽極包括：

玻璃基板；以及

設置在玻璃基板表面的功能層；

所述功能層包括第一石墨烯層、第二石墨烯層以及介于第一石墨烯層和第二石墨烯層之間的鋁摻雜氧化鋅層；所述第一石墨烯層和第二石墨烯層的厚度均為40nm～80nm，所述鋁摻雜氧化鋅層的厚度為20nm～40nm。

8.如權利要求7所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述空穴傳輸層的材質為N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺，所述發光層的材質為4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯苯或8-羥基喹啉鋁，所述電子傳輸層的材質為4,7-二苯基-鄰菲咯啉，所述電子注入層材質的為氟化鋰。

9.如權利要求7所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述陰極的材質為銀、鋁或金。