[發明專利]銪鋱摻雜二氧化鉿基的發光薄膜及其制備方法和電致發光器件

無效

• 申請號: 201310196683.8
• 申請日: 2013-05-23
• 公開（公告）號: CN104178153A
• 公開（公告）日: 2014-12-03
• 發明（設計）人: 周明杰;陳吉星;王平;張娟娟
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: C09K11/67
• 分類號: C09K11/67;H05B33/14
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種銪鋱摻雜二氧化鉿基的發光薄膜，其特征在于，其化學通式為:Hf_1-x-yO₂:xEu²⁺,yTb³⁺；其中，HfO₂是基質，Eu²⁺和Tb³⁺是激活光離子，為發光薄膜的發光中心，x的取值范圍為0.01～0.05，y的取值范圍為0.005～0.03。

2.根據權利要求1所述的銪鋱摻雜二氧化鉿基的發光薄膜，其特征在于，x的取值為0.03，y的取值為0.01。

3.根據權利要求1所述的銪鋱摻雜二氧化鉿基的發光薄膜，其特征在于，包括下述化學式的發光薄膜:

Hf_0.96O₂:0.03Eu²⁺,0.01Tb³⁺；Hf_0.985O₂:0.01Eu²⁺,0.005Tb³⁺；Hf_0.92O₂:0.05Eu²⁺,0.03Tb³⁺；Hf_0.95O₂:0.04Eu²⁺,0.01Tb³⁺；Hf_0.96O₂:0.02Eu²⁺,0.02Tb³⁺。

4.一種銪鋱摻雜二氧化鉿基的發光薄膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟:

陶瓷靶材的制備:分別稱取HfO₂,Eu₂O₃和Tb₄O₇粉體，均勻混合后，在900～1300℃下燒結，制得陶瓷靶材，其中，HfO₂,Eu₂O₃和Tb₄O₇的摩爾比為1-x-y:0.5x:0.25y；

將制得的陶瓷靶材和ITO玻璃襯底裝入鍍膜設備的腔體中，密封腔體后，對腔體進行抽真空處理，控制腔體真空度為1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa；

設置鍍膜工藝參數:設置基靶間距為45～95mm，襯底溫度為250℃～750℃，過程中通入流量為10～35sccm的氬氣工作氣體，工作壓強為0.2～4Pa；待工藝參數設置完成后，進行鍍膜處理，得到樣品，隨后將樣品置于0.01Pa真空爐中500～800℃下退火處理1～3h；隨后在ITO玻璃襯底的ITO層表面制得銪鋱摻雜二氧化鉿基的發光薄膜，該發光薄膜的其化學通式為:Hf_1-x-yO₂:xEu²⁺,yTb³⁺；其中，HfO₂是基質，Eu²⁺和Tb³⁺是激活光離子，為發光薄膜的發光中心，x的取值范圍為0.01～0.05，y的取值范圍為0.005～0.03。

5.根據權利要求4所述的銪鋱摻雜二氧化鉿基的發光薄膜的制備方法，其特征在于，所述陶瓷靶材制備過程中的燒結溫度為1250℃。

6.根據權利要求4所述的銪鋱摻雜二氧化鉿基的發光薄膜的制備方法，其特征在于，所述抽真空處理是采用機械泵和分子泵把腔體進行的。

7.根據權利要求4所述的銪鋱摻雜二氧化鉿基的發光薄膜的制備方法，其特征在于，所述腔體真空度為5.0×10^-4Pa。

8.根據權利要求4所述的銪鋱摻雜二氧化鉿基的發光薄膜的制備方法，其特征在于，所述鍍膜工藝參數為:基靶間距為60mm，襯底溫度為500℃，過程中通入流量為20sccm的氬氣工作氣體，工作壓強為3Pa，退火溫度為600℃，退火時間為2h。

9.根據權利要求4所述的銪鋱摻雜二氧化鉿基的發光薄膜的制備方法，其特征在于，x的取值為0.03，y的取值為0.01。

10.一種電致發光器件，包括玻璃襯底、ITO陽極、發光薄膜層以及Ag陰極層，其特征在于，所述發光薄膜為銪鋱摻雜二氧化鉿基的發光薄膜，其化學通式為:Hf_1-x-yO₂:xEu²⁺,yTb³⁺；其中，HfO₂是基質，Eu²⁺和Tb³⁺是激活光離子，為發光薄膜的發光中心，x的取值范圍為0.01～0.05，y的取值范圍為0.005～0.03。