[發明專利]一種六晶體管靜態隨機存儲器單元

無效

• 申請號: 201310196617.0
• 申請日: 2013-05-23
• 公開（公告）號: CN103311250A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發明（設計）人: 陳靜;伍青青;羅杰馨;柴展;呂凱;王曦
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海微系統與信息技術研究所
• 主分類號: H01L27/11
• 分類號: H01L27/11
• 代理公司: 上海光華專利事務所 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種六晶體管靜態隨機存儲器單元，其特征在于，所述存儲器單元至少包括：

第一反相器，由第一PMOS晶體管及第一NMOS晶體管組成；

第二反相器，由第二PMOS晶體管及第二NMOS晶體管組成；

傳輸門，由第三NMOS晶體管及第四NMOS晶體管組成；

其中，所述第一PMOS晶體管、第一NMOS晶體管、第二PMOS晶體管及第二NMOS晶體管均采用源體歐姆接觸體引出結構。

2.根據權利要求1所述的六晶體管靜態隨機存儲器單元，其特征在于：

所述第三NMOS晶體管的源極同時連接所述第一反相器的輸出端及所述第二反相器的輸入端，柵極連接存儲器的字線，漏極連接存儲器的位線；

所述第四NMOS晶體管的源極同時連接所述第一反相器的輸入端及所述第二反相器的輸出端，柵極連接存儲器的字線，漏極連接存儲器的位線。

3.根據權利要求1所述的六晶體管靜態隨機存儲器單元，其特征在于：所述第一PMOS晶體管及第二PMOS晶體管的源區具有N型重摻雜區域、所述第一NMOS晶體管及第二NMOS晶體管的源區具有P型重摻雜區域，以實現各晶體管的源體歐姆接觸體引出結構。

4.根據權利要求3所述的六晶體管靜態隨機存儲器單元，其特征在于：各所述N型重摻雜區域邊界與其對應在的PMOS晶體管的柵極的距離大于或等于柵極側墻的寬度，各所述P型重摻雜區域邊界與其所在的NMOS晶體管的柵極的距離大于或等于柵極側墻的寬度。

5.根據權利要求4所述的六晶體管靜態隨機存儲器單元，其特征在于：

所述第一PMOS晶體管及第二PMOS晶體管的源區頂部均形成有硅化物，且所述硅化物與所對應的N型重摻雜區域接觸；

所述第一NMOS晶體管及第二NMOS晶體管的源區頂部均形成有硅化物，且所述硅化物與所對應的P型重摻雜區域接觸。

6.根據權利要求1所述的六晶體管靜態隨機存儲器單元，其特征在于：所述第三NMOS晶體管及第四NMOS晶體管采用普通浮體結構、T柵體引出結構或H柵體引出結構。

7.根據權利要求1所述的六晶體管靜態隨機存儲器單元，其特征在于：所述六晶體管靜態隨機存儲器單元的制作襯底為絕緣體上硅襯底SOI。