[發明專利]一種陰極及其制備方法和有機電致發光器件及其制備方法

無效

• 申請號: 201310196575.0
• 申請日: 2013-05-23
• 公開（公告）號: CN104183775A
• 公開（公告）日: 2014-12-03
• 發明（設計）人: 周明杰;馮小明;陳吉星;王平
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56;H01L51/50
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種陰極，其特征在于，所述陰極包括依次層疊的石墨烯薄膜、p型層和n型層，所述p型層的材質為碘化亞銅、三氧化錸或三氧化鉬摻雜到酞菁類物質形成的混合材料，所述碘化亞銅、三氧化錸或三氧化鉬在酞菁類物質中的摻雜質量分數為1%～10%，所述酞菁類物質為酞菁銅、酞菁鋅、酞菁氧釩、酞菁氧鈦或酞菁鉑；所述n型層的材質為堿金屬化合物摻雜到有機物中形成的混合材料，所述堿金屬化合物在有機物中的摻雜質量分數為5%～50%，所述堿金屬化合物為碳酸鋰、碳酸銣、疊氮化銫或碳酸銫，所述有機物為2-（4-聯苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑、4,7-二苯基-鄰菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)、2,9-二甲基-4,7-聯苯-1,10-鄰二氮雜菲或8-羥基喹啉鋁。

2.如權利要求1所述的陰極，其特征在于，所述石墨烯薄膜的厚度為40nm～100nm，所述p型層的厚度為4nm～10nm，所述n型層的厚度為5nm～20nm。

3.一種制備陰極的方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供所需尺寸的玻璃基板，清洗后干燥；

將玻璃基板置于氣相沉積室中，通入氫氣使氣相沉積室的壓強維持在10Pa～1000Pa，隨后將氣相沉積室溫度升溫至600℃～1000℃，再通入碳源氣體使氣相沉積室的壓強維持在10Pa～1000Pa，在所述玻璃基板上采用氣相沉積的方法制備石墨烯薄膜；

在石墨烯薄膜上依次真空蒸鍍p型層和n型層，得到所述陰極；所述p型層的材質為碘化亞銅、三氧化錸或三氧化鉬摻雜到酞菁類物質中形成的混合材料，所述碘化亞銅、三氧化錸或三氧化鉬在酞菁類物質中的摻雜質量分數為1%～10%；所述酞菁類物質為酞菁銅、酞菁鋅、酞菁氧釩、酞菁氧鈦或酞菁鉑；所述n型層的材質為堿金屬化合物摻雜到有機物中形成的混合材料，所述堿金屬化合物在有機物中的摻雜質量分數為5%～50%，所述堿金屬化合物為碳酸鋰、碳酸銣、疊氮化銫或碳酸銫，所述有機物為2-（4-聯苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑、4,7-二苯基-鄰菲咯啉)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)、2,9-二甲基-4,7-聯苯-1,10-鄰二氮雜菲或8-羥基喹啉鋁，所述真空度為1×10^-5～1×10^-3Pa，所述蒸鍍速率為0.01～1nm/s。

4.如權利要求3所述的陰極的制備方法，其特征在于，所述碳源氣體為甲烷、乙烷、丙烷、丁烷和戊烷中的一種或多種。

5.如權利要求3所述的陰極的制備方法，其特征在于，所述石墨烯薄膜的厚度為40nm～100nm，所述p型層的厚度為4nm～10nm，所述n型層的厚度為5nm～20nm。

6.一種有機電致發光器件，其特征在于，包括依次層疊的玻璃基板、陰極、電子傳輸層、發光層、空穴傳輸層，空穴注入層和陽極，所述陰極為依次層疊的石墨烯薄膜、p型層和n型層，所述p型層的材質為碘化亞銅、三氧化錸或三氧化鉬摻雜到酞菁類物質形成的混合材料，所述碘化亞銅、三氧化錸或三氧化鉬在酞菁類物質中的摻雜質量分數為1%～10%，所述酞菁類物質為酞菁銅、酞菁鋅、酞菁氧釩、酞菁氧鈦或酞菁鉑；所述n型層的材質為堿金屬化合物摻雜到有機物中形成的混合材料，所述堿金屬化合物在有機物中的摻雜質量分數為5%～50%，所述堿金屬化合物為碳酸鋰、碳酸銣、疊氮化銫或碳酸銫，所述有機物為2-（4-聯苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑、4,7-二苯基-鄰菲咯啉)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)、2,9-二甲基-4,7-聯苯-1,10-鄰二氮雜菲或8-羥基喹啉鋁。

7.如權利要求6所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述石墨烯薄膜的厚度為40nm～100nm，所述p型層的厚度為4nm～10nm，所述n型層的厚度為5nm～20nm。