[發明專利]一種有機電致發光器件及其制備方法無效
| 申請號: | 201310196472.4 | 申請日: | 2013-05-22 |
| 公開(公告)號: | CN104183773A | 公開(公告)日: | 2014-12-03 |
| 發明(設計)人: | 周明杰;馮小明;張娟娟;王平 | 申請(專利權)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 廣州三環專利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強 |
| 地址: | 518000 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 有機 電致發光 器件 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明屬于有機電致發光領域,具體涉及一種有機電致發光器件及其制備方法。
背景技術
有機電致發光器件(OLED)是一種以有機材料為發光材料,能把施加的電能轉化為光能的能量轉化裝置。它具有超輕薄、自發光、響應快、低功耗等突出性能,在顯示、照明等領域有著極為廣泛的應用前景。
有機電致發光器件的結構為三明治結構,在陰極和導電陽極之間夾有一層或多層有機薄膜。在含多層結構的器件中,兩極內側主要包括發光層、注入層及傳輸層。有機電致發光器件是載流子注入型發光器件,在陽極和陰極加上工作電壓后,空穴從陽極,電子從陰極分別注入到工作器件的有機材料層中,兩種載流子在有機發光材料中形成空穴-電子對發光,然后光從電極發出。
目前,OLED還沒有大規模的使用在日常生活中,除了昂貴的價格以外,使用壽命短,也是制約其應用的一個重要原因。在OLED器件中,大量的采用了有機物作為結構的一部分,通常有機物的熱穩定性能不佳、導電性能較差,在器件的使用過程中,產生的熱量會使有機物發生不同程度的降解,從而導致器件逐漸的失效,使用壽命下降,因此不利于OLED的實際應用。
發明內容
為了解決上述問題,本發明旨在提供一種性能穩定、使用壽命長的有機電致發光器件。本發明還提供了一種有機電致發光器件的制備方法。
第一方面,本發明提供了一種有機電致發光器件,包括依次層疊的基板、陰極、電子傳輸層、發光層、空穴傳輸層和陽極,在所述陽極表面設置封裝層,使基板與封裝層之間形成封閉空間,所述陰極、電子傳輸層、發光層、空穴傳輸層和陽極容置在所述封閉空間內,所述電子傳輸層的材質為二氧化鈦、氧化鋅或五氧化二鈮。
電子傳輸層采用二氧化鈦(TiO2)、氧化鋅(ZnO)或五氧化二鈮(Nb2O5)等高熔點材料,具有較高的熱穩定性,其耐熱降解性能遠遠優于有機材料,并且兼具有電子傳輸和空穴傳輸性能,性質穩定,可提高OLED器件的使用壽命。
同時,本發明提供的有機電致發光裝置,采用倒置結構,將陰極置于基板之上,然后在陰極上依次設置電子傳輸層、發光層、空穴傳輸層和陽極,這樣可避免濺射工藝產生的高能粒子破壞發光層的結構,保證了器件的性能穩定性。
優選地,電子傳輸層的厚度為10~50nm。
優選地,空穴傳輸層的材質為三氧化鉬(MoO3)、三氧化錸(ReO3)、五氧化二釩(V2O5)或三氧化鎢(WO3)。
優選地,空穴傳輸層的厚度為10~50nm。
優選地,基板為玻璃。
優選地,陰極的材質為銀(Ag)、鋁(Al)、釤(Sm)或鐿(Yb)。
優選地,陰極的厚度為18~40nm。
優選地,發光層的材質為摻雜有客體材料的主體材料,所述客體材料為4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、雙(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)、雙(4,6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合銥(FIr6)、(乙酰丙酮)合銥(Ir(MDQ)2(acac))、三(1-苯基-異喹啉)合銥(Ir(piq)3)或三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3),所述主體材料為4,4′-二(9-咔唑)聯苯(CBP)、8-羥基喹啉鋁(Alq3)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)或N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-聯苯-4,4′-二胺(NPB),所述客體材料在主體材料中的摻雜質量分數為1%~20%。
也優選地,發光層的材質為4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-聯苯(DPVBi)、4,4′-雙[4-(二對甲苯基氨基)苯乙烯基]聯苯(DPAVBi)或5,6,11,12-四苯基萘并萘(Rubrene)。
優選地,發光層的厚度為1~15nm。
優選地,陽極的材質為金(Au)、鋁(Al)、銀(Ag)或其合金。
優選地,陽極的厚度為18~100nm。
優選地,封裝層包括交替層疊的二氧化硅和氮化硅。
更優選地,封裝層為交替層疊3次的二氧化硅和氮化硅。
優選地,封裝層的厚度為600nm。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司;,未經海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司;許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310196472.4/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:有機電致發光器件及其制備方法
- 下一篇:有機電致發光器件及其制備方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





