[發(fā)明專利]卷對卷立式磁控鍍膜裝置

有效

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• 申請日: 2013-05-24
• 公開（公告）號: CN103290385A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發(fā)明（設計）人: 謝建軍
• 申請（專利權）人: 深圳市生波爾機電設備有限公司
• 主分類號: C23C14/56
• 分類號: C23C14/56;C23C14/35
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產(chǎn)權代理事務所 44287
• 代理人: 胡海國

技術領域

本發(fā)明涉及鍍膜技術領域，尤其是涉及一種卷對卷立式磁控鍍膜裝置。

背景技術

卷對卷立式磁控濺射鍍膜裝置主要用于真空條件下在柔性基片上鍍涂金屬、非金屬、和/或氧化物等膜層。其具體可應用于如：鍍制柔性薄膜太陽能電池面電極、背電極、CIG半導體層、以及柔性線路板的導電層等。

現(xiàn)有技術中常見的卷對卷真空磁控鍍膜設備均為單體設備，設備基本結構一般由一個真空腔室、一個收卷輥、一個放卷輥、多個導輥、一個冷鼓、一組糾偏輥等組成，且均為臥式結構，即靶在冷鼓的下方或上方，設備工作過程中，薄膜材料所在面始終處于水平面上。

現(xiàn)有的這種卷對卷真空磁控鍍膜設備因結構所限靶位較少，濺射材料單一；由于采用臥式結構，設備工作時靶與柔性基片均為平臥姿態(tài)，鍍膜過程真空室內(nèi)部形成的細小顆粒會掉落在所柔性基片和靶上形成污染，因而導致柔性基片形成的鍍膜膜層會出現(xiàn)針孔缺陷。

同時現(xiàn)有的這種卷對卷真空磁控鍍膜設備的收、放卷輥處于同一鍍膜真空室，正常工作時放卷過程中待鍍的柔性基片在真空狀態(tài)下會釋放大量的雜質(zhì)氣體，從而鍍膜真空室內(nèi)靶的工作氣氛和成份，對膜層產(chǎn)生不利的影響。

另外，現(xiàn)有的這種卷對卷真空磁控鍍膜設備的收、放卷輥與冷鼓的位置有限，收卷輥側(cè)的導輥不可避免會對鍍制的膜層擠壓，對硬度不高的膜料容易使所鍍膜層出現(xiàn)“劃傷”等缺陷。以及由于只有一個鍍膜真空室，所以工作真空氣氛只有一個，無法同時鍍涂兩種或兩種以上對氣氛有著不同要求的膜層。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的主要目的在于提供一種卷對卷立式磁控鍍膜裝置，防止柔性基片上形成的膜層存在針孔缺陷，防止雜質(zhì)氣體污染鍍膜室，以保證柔性基片的膜層質(zhì)量。

本發(fā)明提出一種卷對卷立式磁控鍍膜裝置，包括：鍍膜室，該鍍膜室的一端連接設有一放卷室，該放卷室內(nèi)設有輥軸為豎直方向設置的放卷輥和導向輥；鍍膜室的另一端連接設有一收卷室，該收卷室設有輥軸為豎直方向設置的收卷輥和第一導向輥；所述鍍膜室的側(cè)壁上設置有磁控濺射靶，該磁控濺射靶的靶面為豎直方向設置，并與柔性基片所在面平行；所述放卷室與鍍膜室、鍍膜室與收卷室之間分別設有通過柔性基片的狹縫；所述放卷室、鍍膜室、以及收卷室分別設有獨立的抽氣系統(tǒng)。

優(yōu)選地，所述鍍膜室包括：第一子鍍膜室、第二子鍍膜室；所述第一子鍍膜室和第二子鍍膜室之間連接設置一過渡室；

所述第一子鍍膜室未與過渡室連接的一端連接所述放卷室，所述第二子鍍膜室未與過渡室連接的一端連接所述收卷室；

所述放卷室與第一子鍍膜室、第一子鍍膜室與過渡室、過渡室與第二子鍍膜室、第二子鍍膜室與收卷室之間分別設有所述狹縫；

所述第一子鍍膜室、過渡室、以及第二子鍍膜室分別設置有獨立的抽氣系統(tǒng)。

優(yōu)選地，所述第一子鍍膜室包括：第一前子鍍膜室、與第一前子鍍膜室連接的第一后子鍍膜室；所述第一前子鍍膜室與第一后子鍍膜室之間設有所述狹縫。

優(yōu)選地，所述第一前子鍍膜室和第一后子鍍膜室的側(cè)壁上分別設有至少一個所述磁控濺射靶。

優(yōu)選地，所述第一前子鍍膜室內(nèi)的磁控濺射靶設置于左側(cè)壁或右側(cè)壁上；所述第一后子鍍膜室內(nèi)的磁控濺射靶設置于左側(cè)壁或右側(cè)壁上。

優(yōu)選地，所述第二子鍍膜室包括：第二前子鍍膜室、與第二前子鍍膜室連接的第二后子鍍膜室；所述第二前子鍍膜室與第二后子鍍膜室之間設有所述狹縫。

優(yōu)選地，所述第二前子鍍膜室和第二后子鍍膜室的側(cè)壁上均設有至少一個所述磁控濺射靶。

優(yōu)選地，所述第二前子鍍膜室內(nèi)的磁控濺射靶設置于左側(cè)壁或右側(cè)壁上，所述第二后子鍍膜室內(nèi)的磁控濺射靶設置于左側(cè)壁或右側(cè)壁上。

優(yōu)選地，所述放卷室與第一子鍍膜室之間設有預處理室，該預處理室設有對柔性基片進行鍍膜前預處理的離子轟擊儀。

優(yōu)選地，所述收卷室與第二子鍍膜室之間設有后處理室，該后處理室內(nèi)設有對柔性基片膜層進行膜后處理的離子轟擊儀。

本發(fā)明所提供的一種卷對卷立式磁控鍍膜裝置，通過將放卷室、鍍膜室、以及收卷室隔離，可防止放卷過程中柔性基片釋放的雜質(zhì)氣體污染鍍膜室，維持鍍膜室單純的氣體氛圍，以保證柔性基片膜層不受雜質(zhì)污染；同時將放卷輥、收卷輥的輥軸設置為豎直方向，以及磁控濺射靶111的靶面設置為豎直方向；在鍍膜過程中柔性基片所在面與磁磁濺射靶的靶面均處于豎直狀態(tài)，室體內(nèi)產(chǎn)生的細小粉塵及顆粒不會落入柔性基片表面和磁控濺射靶的靶面上，因此避免了柔性基片膜層出現(xiàn)針孔現(xiàn)象，進一步保證了柔性基片膜層的質(zhì)量。

附圖說明