[發明專利]有機電致發光器件及其制備方法

無效

• 申請號: 201310196323.8
• 申請日: 2013-05-24
• 公開（公告）號: CN104183731A
• 公開（公告）日: 2014-12-03
• 發明（設計）人: 周明杰;王平;黃輝;陳吉星
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

技術領域

本發明涉及一種有機電致發光器件及其制備方法。

背景技術

有機電致發光器件的發光原理是基于在外加電場的作用下，電子從陰極注入到有機物的最低未占有分子軌道（LUMO），而空穴從陽極注入到有機物的最高占有軌道（HOMO）。電子和空穴在發光層相遇、復合、形成激子，激子在電場作用下遷移，將能量傳遞給發光材料，并激發電子從基態躍遷到激發態，激發態能量通過輻射失活，產生光子，釋放光能。然而，目前有機電致發光器件的發光效率較低。

發明內容

基于此，有必要提供一種發光效率較高的有機電致發光器件及其制備方法。

一種有機電致發光器件，包括依次層疊的陽極、空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發光層、第一電子傳輸層、電荷產生層、第二空穴傳輸層、第二發光層、第二電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述電荷產生層包括n型層，中間層及p型層，所述n型層材料為銫鹽，中間層材料為摻雜有鑭系氧化物的金屬，p型層為酞菁類金屬化合物，其中，所述銫鹽選自碳酸銫、疊氮銫、氟化銫及氯化銫中至少一種，所述鑭系氧化物選自二氧化鐠、三氧化二鐠、三氧化鐿及氧化釤中至少一種，所述金屬材料選自銀、鋁、鉑及金中至少一種，所述鑭系氧化物與所述金屬之間的質量比為1:20～1:5，所述酞菁類金屬化合物材料選自酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鎂及酞菁釩中至少一種。

所述n型層的厚度為1nm～10nm，所述中間層厚度為5nm～20nm，所述p型層的厚度為20nm～50nm。

所述第一發光層及所述第二發光層的材料選自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4′-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1′-聯苯及8-羥基喹啉鋁中的至少一種。

所述第一空穴傳輸層及所述第二空穴傳輸層的材料選自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-聯苯二胺中的至少一種。

所述第一電子傳輸層及所述第二電子傳輸層的材料選自4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、1,2,4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一種。

一種有機電致發光器件的制備方法，包括以下步驟：

在陽極表面依次蒸鍍制備空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發光層及第一電子傳輸層；

在所述第一電子傳輸層表面蒸鍍制備電荷產生層，所述電荷產生層包括n型層，中間層及p型層，所述n型層材料為銫鹽，中間層材料為摻雜有鑭系氧化物的金屬，p型層為酞菁類金屬化合物，其中，所述銫鹽選自碳酸銫、疊氮銫、氟化銫及氯化銫中至少一種，所述鑭系氧化物選自二氧化鐠、三氧化二鐠、三氧化鐿及氧化釤中至少一種，所述金屬材料選自銀、鋁、鉑及金中至少一種，所述鑭系氧化物與所述金屬之間的質量比為1:20～1:5，所述酞菁類金屬化合物材料選自酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鎂及酞菁釩中至少一種，蒸鍍在真空壓力為2×10^-3～5×10^-5Pa下進行，有機材料的蒸鍍速率為0.1～1nm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為1～10nm/s；及

在所述電荷產生層表面依次蒸鍍形成第二空穴傳輸層、第二發光層、第二電子傳輸層、電子注入層及陰極。

所述第一發光層及所述第二發光層的材料選自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4′-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1′-聯苯及8-羥基喹啉鋁中的至少一種。

所述第一空穴傳輸層及所述第二空穴傳輸層的材料選自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-聯苯二胺中的至少一種。

所述n型層的厚度為1nm～10nm，所述中間層厚度為5nm～20nm，所述p型層的厚度為20nm～50nm。

在所述陽極表面形成空穴注入層之前先對陽極進行前處理，前處理包括：將陽極進行光刻處理，裁成所需要的大小，采用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇、異丙酮各超聲波清洗15min，以去除陽極表面的有機污染物。