[發明專利]反濺射刻蝕率檢測方法

無效

• 申請號: 201310195636.1
• 申請日: 2013-05-23
• 公開（公告）號: CN103325707A
• 公開（公告）日: 2013-09-25
• 發明（設計）人: 羌宇星;楊奕;浦郁佳;韓曉剛;陳建維
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 陸花

1.一種反濺射刻蝕率檢測方法，包括：

在晶圓表面形成第一厚度的第一金屬層，同時采用反濺射刻蝕法刻蝕所述第一金屬層；

得出剩余第一金屬層的第二厚度；

在所述剩余第一金屬層的表面形成第一厚度的第二金屬層，得出第一厚度；

由所述第一厚度與第二厚度的厚度差以及反濺射刻蝕法的刻蝕時間計算出反濺射刻蝕率。

2.如權利要求1所述的反濺射刻蝕率檢測方法，其特征在于，所述第一金屬層以及第二金屬層均為鉭層。

3.如權利要求2所述的反濺射刻蝕率檢測方法，其特征在于，剩余第一金屬層的第二厚度獲取過程包括：

測量所述剩余第一金屬層的第二方塊電阻；

由公式H₂=ρ_Ta/Rs₂計算出H₂；

其中，H₂是剩余第一金屬層的第二厚度，ρ_Ta是鉭層的電阻率，Rs₂是第二方塊電阻。

4.如權利要求3所述的反濺射刻蝕率檢測方法，其特征在于，所述第一厚度的獲取過程包括：

測量所述剩余第一金屬層以及第二金屬層的總方塊電阻；

由公式Rs=Rs₁+Rs₂得出Rs₁=Rs-Rs₂；

再由公式H₁=ρ_Ta/Rs₁計算出H₁；

其中，H₁是所述第二金屬層的第一厚度，ρ_Ta是所述鉭層的電阻率，Rs是所述總方塊電阻，Rs₁是所述第一方塊電阻。

5.如權利要求4所述的反濺射刻蝕率檢測方法，其特征在于，所述反濺射刻蝕率由公式（H₁-H₂）/t得出；其中，t為所述反濺射刻蝕法的刻蝕時間。

6.如權利要求1所述的反濺射刻蝕率檢測方法，其特征在于，所述反濺射刻蝕采用氬離子進行刻蝕。

7.如權利要求6所述的反濺射刻蝕率檢測方法，其特征在于，所述反濺射刻蝕時間范圍是10s～1000s。

8.如權利要求1所述的反濺射刻蝕率檢測方法，其特征在于，所述第一金屬層以及第二金屬層采用物理氣相沉積形成。