[發(fā)明專利]鋁襯墊形成方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310195605.6
• 申請(qǐng)日: 2013-05-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103280411A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-09-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙萬(wàn)金;劉睿;龍吟;倪棋梁;陳宏璘
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/60
• 分類號(hào): H01L21/60
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 陸花

1.一種鋁襯墊形成方法，包括將鋁襯墊分至少兩次沉積，其中，第一次沉積的溫度低于第二次沉積的溫度。

2.如權(quán)利要求1所述的鋁襯墊形成方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體襯底；

進(jìn)行第一次沉積，在所述半導(dǎo)體襯底上沉積第一鋁層；

進(jìn)行第二次沉積，在所述第一鋁層上沉積第二鋁層。

3.如權(quán)利要求2所述的鋁襯墊形成方法，其特征在于，所述第一次沉積和第二次沉積在不同的反應(yīng)腔進(jìn)行。

4.如權(quán)利要求1-3中任意一項(xiàng)所述的鋁襯墊形成方法，其特征在于，所述第一鋁層的厚度為鋁襯墊的厚度的1/8～1/4。

5.如權(quán)利要求4所述的鋁襯墊形成方法，其特征在于，所述第一鋁層的厚度

6.如權(quán)利要求1-3中任意一項(xiàng)所述的鋁襯墊形成方法，其特征在于，所述第一次沉積的溫度為100℃～220℃。

7.如權(quán)利要求6所述的鋁襯墊形成方法，其特征在于，所述第一次沉積的溫度為200℃。

8.如權(quán)利要求1-3中任意一項(xiàng)所述的鋁襯墊形成方法，其特征在于，所述第一次沉積的直流電功率為28千瓦～35千瓦。

9.如權(quán)利要求1-3中任意一項(xiàng)所述的鋁襯墊形成方法，其特征在于，所述第二次沉積的溫度為250℃～300℃。

10.如權(quán)利要求9所述的鋁襯墊形成方法，其特征在于，所述第二次沉積的溫度為270℃。

11.如權(quán)利要求1-3中任意一項(xiàng)所述的鋁襯墊形成方法，其特征在于，所述第二次沉積的直流電功率為20千瓦～25千瓦。