[發(fā)明專利]一種NOR型閃存存儲(chǔ)單元的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310195266.1
• 申請(qǐng)日: 2013-05-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104183553B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-09-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳楠;馮駿
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/11524
• 分類號(hào): H01L27/11524
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 馬曉亞

1.一種NOR型閃存存儲(chǔ)單元的制造方法，包含：

在有源區(qū)上形成包含控制柵層的預(yù)備蝕刻層；

對(duì)所述預(yù)備蝕刻層進(jìn)行第一蝕刻，再沉積控制柵保護(hù)層，并對(duì)所述控制柵保護(hù)層進(jìn)行第二蝕刻以露出所述有源區(qū)表面；

在經(jīng)過(guò)所述第二蝕刻后的凹槽中填充連線導(dǎo)電材料；

進(jìn)行第三蝕刻去除所述有源區(qū)的淺溝道絕緣層上方預(yù)定位置的連線導(dǎo)電材料；

在所述預(yù)定位置填充層間電介質(zhì)材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的NOR型閃存存儲(chǔ)單元的制造方法，所述預(yù)備蝕刻層包含隧穿介質(zhì)層、浮柵層、柵間介質(zhì)層、控制柵層和控制柵覆蓋層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的NOR型閃存存儲(chǔ)單元的制造方法，所述第一蝕刻和所述第二蝕刻均采用干刻法進(jìn)行蝕刻。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的NOR型閃存存儲(chǔ)單元的制造方法，利用所述控制柵層和所述控制柵保護(hù)層作為輔助，進(jìn)行第三蝕刻去除所述有源區(qū)的淺溝道絕緣層上方預(yù)定位置的連線導(dǎo)電材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的NOR型閃存存儲(chǔ)單元的制造方法，在填充連線導(dǎo)電材料之后，通過(guò)化學(xué)機(jī)械平坦化去除上表面的連線導(dǎo)電材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的NOR型閃存存儲(chǔ)單元的制造方法，在填充層間電介質(zhì)材料后，進(jìn)行化學(xué)機(jī)械平坦化。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的NOR型閃存存儲(chǔ)單元的制造方法，所述控制柵保護(hù)層為一層，為含氧化硅或氮化硅的材料。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的NOR型閃存存儲(chǔ)單元的制造方法，所述控制柵保護(hù)層包含第一層和第二層，所述第一層為一種含氧化硅或氮化硅的材料，所述第二層為另外一種含氧化硅或氮化硅的材料。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的NOR型閃存存儲(chǔ)單元的制造方法，所述層間電介質(zhì)材料為K值≤3.9的材料或含氧化硅的材料。