[發明專利]NOR型閃存存儲單元及其制造方法

有效

• 申請號: 201310195064.7
• 申請日: 2013-05-23
• 公開（公告）號: CN104183552B
• 公開（公告）日: 2017-09-19
• 發明（設計）人: 吳楠;馮駿
• 申請（專利權）人: 北京兆易創新科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L27/11521;H01L27/11524
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 馬曉亞

1.一種NOR型閃存存儲單元的制造方法，包括：

在有源區上形成包含控制柵層的預備蝕刻層；

對所述預備蝕刻層進行第一蝕刻；

在經過第一蝕刻的凹槽中填充層間電介質材料；

進行第二蝕刻去除源極連線的預定位置和漏極連線的預定位置的層間電介質材料；

沉積控制柵保護層，并對所述控制柵保護層進行第三蝕刻以露出所述有源區表面；

在經過第三蝕刻的凹槽中填充連線導電材料。

2.根據權利要求1所述的NOR型閃存存儲單元的制造方法，所述預備蝕刻層包含隧穿介質層、浮柵層、柵間介質層、控制柵層和控制柵覆蓋層。

3.根據權利要求1所述的NOR型閃存存儲單元的制造方法，利用所述控制柵和浮柵作為輔助，進行第二蝕刻去除源極連線的預定位置和漏極連線的預定位置的間電介質材料。

4.根據權利要求1所述的NOR型閃存存儲單元的制造方法，所述連線導電材料為鎢，銅或多晶硅。

5.根據權利要求1所述的NOR型閃存存儲單元的制造方法，所述層間電介質材料為K值≤3.9的材料或含氧化硅的材料。

6.一種根據權利要求1-5任一制造方法所制造的NOR型閃存存儲單元，包括預備蝕刻層、層間電介質、漏極連線和源極連線，其中，所述漏極連線和所述層間電介質之間以及所述漏極連線和所述預備蝕刻層之間具有控制柵保護層；所述層間電介質和所述預備蝕刻層之間直接接觸；所述源極連線和所述預備蝕刻層之間具有控制柵保護層。

7.根據權利要求6所述的NOR型閃存存儲單元，所述預備蝕刻層包含隧穿介質層、浮柵層、柵間介質層、控制柵層和控制柵覆蓋層。

8.根據權利要求6所述的NOR型閃存存儲單元，所述控制柵保護層為一層，為含氧化硅或氮化硅的材料。

9.根據權利要求6所述的NOR型閃存存儲單元，所述控制柵保護層包含第一層和第二層，所述第一層為一種含氧化硅或氮化硅的_材料，所述第二層為另一種含氧化硅或氮化硅的材料。

10.根據權利要求6所述的NOR型閃存存儲單元，所述層間電介質材料為K值≤3.9的材料或含氧化硅的材料。