[發明專利]釬焊C/C及C/SiC復合材料的高溫釬料及其制備方法

有效

• 申請號: 201310194838.4
• 申請日: 2013-05-23
• 公開（公告）號: CN103240544A
• 公開（公告）日: 2013-08-14
• 發明（設計）人: 張麗霞;田成龍;雷敏;徐李剛;田曉羽;馮吉才
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工業大學
• 主分類號: B23K35/30
• 分類號: B23K35/30;B23K35/40
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109
• 代理人: 金永煥

1.釬焊C/C及C/SiC復合材料的高溫釬料，其特征在于釬焊C/C及C/SiC復合材料的高溫釬料，按重量分數是由25～35份的Ni、65～75份的Zr或ZrH₂制成。

2.根據權利要求1所述的釬焊C/C及C/SiC復合材料的高溫釬料，其特征在于釬焊C/C及C/SiC復合材料的高溫釬料，按重量分數是由30份的Ni、70份的Zr或ZrH₂制成。

3.根據權利要求1或2所述的釬焊C/C及C/SiC復合材料的高溫釬料，其特征在于所述的Ni純度為99.0％～99.9％，Zr純度為99.0％～99.9％，ZrH₂純度為99.0％～99.9％。

4.制備如權利要求1所述的釬焊C/C及C/SiC復合材料的高溫釬料的方法，其特征在于它按以下步驟進行：

一、稱量：按重量分數稱取25～35份的Ni、65～75份的Zr或ZrH₂；

二、熔煉：將步驟一稱量的各組分放入石墨坩堝中，在溫度為1300℃～1800℃、真空度為1×10^-3的條件下，熔煉20～120min，再經鑄造，得到合金錠；

三、制箔：將步驟二得到的合金錠線切割制得厚度為0.1～0.5mm的箔片，然后將箔片的正反兩面進行機械磨光，磨光至箔片表面粗糙度為10～20μm，即完成釬焊C/C及C/SiC復合材料的高溫釬料的制備；其中步驟一所述的Zr、ZrH₂和Ni為金屬粉末或箔片。

5.根據權利要求4所述的釬焊C/C及C/SiC復合材料的高溫釬料的制備方法，其特征在于步驟一中按重量分數稱取27份的Ni、73份的Zr或ZrH₂。

6.根據權利要求4或5所述的釬焊C/C及C/SiC復合材料的高溫釬料的制備方法，其特征在于步驟二中在溫度為1500℃、真空度為1×10^-3的條件下，熔煉50min。

7.根據權利要求6所述的釬焊C/C及C/SiC復合材料的高溫釬料的制備方法，其特征在于步驟三中磨光至箔片表面粗糙度為15μm。

8.制備如權利要求1所述的釬焊C/C及C/SiC復合材料的高溫釬料的方法，其特征在于它按以下步驟進行：

一、稱量：按重量分數稱取25～35份的Ni、65～75份的Zr或ZrH₂；

二、將步驟一稱量的各組分，按球料質量比為12～16∶1的比例放入石墨坩堝中，在氬氣保護下，轉速為250～350r/min的條件下，室溫球磨3～4h，即得到混合粉末；

三、將步驟二得到的混合粉末采用壓片機加壓6×10⁸N/m²，得到厚度為0.01～2mm的箔片，將箔片用丙酮在頻率為20KHz的超聲中清洗15min，室溫下干燥2h，即完成釬焊C/C及C/SiC復合材料的高溫釬料的制備；其中步驟一所述的Zr、ZrH₂和Ni為金屬粉末或箔片。

9.根據權利要求8所述的釬焊C/C及C/SiC復合材料的高溫釬料的制備方法，其特征在于步驟二中按球料質量比為14∶1的比例放入石墨坩堝中，在氬氣保護下，轉速為300r/min的條件下，室溫球磨3.5h。

10.根據權利要求8或9所述的釬焊C/C及C/SiC復合材料的高溫釬料的制備方法，其特征在于步驟三中混合粉末采用壓片機加壓6×10⁸N/m²，得到厚度為1mm的箔片。