[發明專利]電容結構及其制造過程

有效

• 申請號: 201310193905.0
• 申請日: 2013-05-23
• 公開（公告）號: CN103811299B
• 公開（公告）日: 2017-09-22
• 發明（設計）人: 郭啟祥;陳政順;謝章耀
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L23/522
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司11205
• 代理人: 臧建明

1.一種電容結構的制造過程，其特征在于，包括：

在基板上形成模板層，該模板層包括至少一個第一膜層及至少一個第二膜層的堆疊，其中該至少一個第一膜層及該至少一個第二膜層交替布置，且具有不同的蝕刻選擇性；

在該模板層上形成蓋層，且在該蓋層中形成孔洞；

在該模板層中形成開口，其中該開口對準該孔洞；

進行濕蝕刻制造過程，使得該開口的側壁處的該至少一個第一膜層相對于該至少一個第二膜層凹陷；

在該開口的底部及側壁上形成該電容的下電極；以及

移除該模板層，并保留該蓋層。

2.根據權利要求1所述的電容結構的制造過程，其特征在于，該至少一個第一膜層與該至少一個第二膜層的蝕刻選擇比介于1.5至5.0之間。

3.根據權利要求2所述的電容結構的制造過程，其特征在于，該至少一個第一膜層的材料包括摻雜多晶硅，且該至少一個第二膜層的材料包括未摻雜多晶硅。

4.根據權利要求3所述的電容結構的制造過程，其特征在于，該濕蝕刻制造過程中所使用的蝕刻劑包括氫氧化銨或氫氧化四甲基銨。

5.根據權利要求1所述的電容結構的制造過程，其特征在于，還包括：

在該模板層形成之前，在該基板上形成蝕刻中止層；以及

在形成該電容的該下電極之前，先移除暴露在該開口中的該蝕刻中止層。

6.根據權利要求1所述的電容結構的制造過程，其特征在于，該模板層包括兩個第一膜層及一個第二膜層的堆疊，且該第二膜層介于該兩個第一膜層之間。

7.根據權利要求1所述的電容結構的制造過程，其特征在于，該模板層包括兩個第二膜層及一個第一膜層的堆疊，且該第一膜層介于該兩個第二膜層之間。

8.根據權利要求1所述的電容結構的制造過程，其特征在于，還包括：

形成介電層，該介電層覆蓋該電容器的該下電極的內表面及外表面；以及

形成該電容器的上電極，該上電極覆蓋該介電層。

9.根據權利要求1所述的電容結構的制造過程，其特征在于，該電容器為動態隨機存取存儲器的電容器。

10.一種電容結構，其特征在于，包括：

下電極，其呈垂直管狀且具有均勻的厚度，且該下電極包括交替布置在垂直方向的至少一個較寬部分及至少一個較窄部分；

上電極；

介電層，其介于該下電極與該上電極之間；以及

蓋層，該蓋層配置在該下電極的頂部的周圍，且該蓋層上下方皆配置有該上電極，其中該蓋層在該垂直方向的深度小于該下電極的該至少一個較窄部份或該下電極的該至少一個較寬部分在該垂直方向的高度，

其中該上電極包括氮化鈦層及多晶硅層，該氮化鈦層覆蓋該介電層，且該多晶硅層覆蓋該氮化鈦層。

11.根據權利要求10所述的電容結構，其特征在于，還包括蝕刻中止層，該蝕刻中止層配置在該下電極的底部的周圍。

12.根據權利要求10所述的電容結構，其特征在于，該介電層及該上電極覆蓋該下電極的內表面及外表面。

13.根據權利要求10所述的電容結構，其特征在于，該下電極的材料包括氮化鈦或釕。

14.根據權利要求10所述的電容結構，其特征在于，該介電層的材料包括高介電常數材料。