[發明專利]發光器件及其制作方法

有效

• 申請號: 201310193631.5
• 申請日: 2013-05-23
• 公開（公告）號: CN103280502A
• 公開（公告）日: 2013-09-04
• 發明（設計）人: 梁興華;夏德玲;徐宸科;趙志偉;李水清
• 申請（專利權）人: 安徽三安光電有限公司
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.發光器件，包括：

半導體外延疊層，包含N型半導體層、P型半導體層以及夾在所述N型半導體層和P型半導體層之間的發光層，所述半導體外延疊層表面具有缺陷位錯；

抗電遷移金屬，通過預處理的方式填充至所述N型或/和P型半導體層表面的缺陷位錯內，以堵塞所述半導體外延疊層由于缺陷位錯形成的電遷移通道，減少漏電的發生。

2.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于：所述抗電遷移金屬填充所述半導體外延疊層表面的缺陷位錯內，以增加所述半導體外延疊層與金屬材料層連接的粘附力。

3.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于：所述抗電遷移金屬僅位于所述半導體外延疊層表面的缺陷位錯內，以盡量減少吸光。

4.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于：所述抗電遷移金屬填充到N型或P型半導體層的至少一表面，但不貫穿整個半導體外延疊層。

5.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于：所述抗電遷移金屬通過施加電壓或加熱的方式填充至所述N型或/和P型半導體層表面的缺陷位錯內。

6.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于：所述抗電遷移金屬為含銅、金、鉑、鈀、鎢、鉬、鉭、鈮、釩的單一金屬或其組合的合金。

7.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于：還包括反射鏡面層，其通過一粘結層形成于所述半導體外延疊層上，所述半導體外延疊層靠近反射鏡面層的一側表面缺陷位錯內填充有所述抗電遷移金屬。

8.根據權利要求7所述的發光器件，其特征在于：所述反射鏡面層為含銀、鋁的單一金屬或其組合的合金。

9.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于：還包括焊料層，用于將所述半導體外延疊層粘結于一基座上，所述半導體外延疊層靠近焊料層的一側表面缺陷位錯內填充有所述抗電遷移金屬。

10.根據權利要求9所述的發光器件，其特征在于：所述焊接層的材料為鈦，鋁，鎳，鉻，錫的單一金屬或其組合的合金。

11.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于：所述發光器件為垂直結構或倒裝結構。

12.發光器件的制作方法，包括步驟：

步驟一：提供一半導體外延疊層，包括N型半導體層、P型半導體層以及夾在所述N型半導體層和P型半導體層之間的發光層，其表面具有缺陷位錯；

步驟二：通過預處理的方式，在所述N型或/和P型半導體層表面的缺陷位錯內填充抗電遷移金屬，以堵塞所述半導體外延疊層由于缺陷位錯形成的電遷移通道，減少漏電的發生。

13.根據權利要求12所述的發光器件的制作方法，其特征在于：在步驟二，通過加熱熔合使得所述抗遷移金屬填充至所述半導體外延疊層表面的缺陷位錯內。

14.根據權利要求13所述的發光器件的制作方法，其特征在于：所述加熱熔合溫度大于400℃。

15.根據權利要求12所述的發光器件的制作方法，其特征在于：在步驟二，通過在所述半導體外延疊層兩端施加電壓使得所述抗遷移金屬擴散至所述半導體外延疊層表面的缺陷位錯內。

16.根據權利要求15所述的一種發光器件的制作方法，其特征在于：所述電壓大于100V。

17.根據權利要求12所述的發光器件的制作方法，其特征在于：所述步驟二具體包括：

露出所述半導體外延疊層的N型或P型半導體層的至少一表面，在其上形成抗電遷移的金屬阻擋層；

在所述金屬阻擋層施加作用，使所述金屬阻擋層內的抗電遷移金屬填充到所述半導體表面的缺陷位錯內；

移除所述金屬阻擋層，保留缺陷位錯內所述抗電遷移金屬，露出所述半導體表面。

18.根據權利要求17所述的發光器件的制作方法，其特征在于：所述形成金屬阻擋層的方法為蒸鍍、濺鍍、氣相沉積或其組合。

19.根據權利要求17所述的發光器件的制作方法，其特征在于：采用干法或濕法蝕刻移除所述金屬阻擋層。

20.根據權利要求19所述的發光器件的制作方法，其特征在于：所述濕法蝕刻使用所述金屬蝕刻液，蝕刻時間根據正好能露出所述半導體層表面，且保留缺陷位錯內金屬而定。