[發明專利]一種二維周期性V型金屬等離子共振結構及其制備方法有效
| 申請號： | 201310192785.2 | 申請日： | 2013-05-21 |
| 公開（公告）號： | CN103288046A | 公開（公告）日： | 2013-09-11 |
| 發明（設計）人： | 呂昌貴;祁正青;王肇征;畢紀軍;葉莉華;鐘嫄;崔一平 | 申請（專利權）人： | 東南大學 |
| 主分類號： | B82B1/00 | 分類號： | B82B1/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 211189 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 二維 周期性 金屬 等離子 共振 結構 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種二維周期性V型金屬等離子共振結構，其特征在于：包括襯底（1）和金屬膜（2）；所述襯底（1）的形狀為V型凹槽，V型凹槽底部設有狹縫；所述金屬膜（2）設于襯底（1）的上表面上和V形凹槽內。
2.根據權利要求1所述的一種二維周期性V型金屬等離子共振結構，其特征在于：所述襯底（1）為晶體硅襯底，晶體硅襯底的上表面晶向為（100），晶體硅襯底的V形凹槽斜面晶向為（111）。
3.根據權利要求1所述的一種二維周期性V型金屬等離子共振結構，其特征在于：所述金屬膜（2）為金膜或銀膜。
4.根據權利要求1所述的一種二維周期性V型金屬等離子共振結構，其特征在于：所述V形凹槽的斜面傾斜角為54.7°。
5.一種二維周期性V型金屬等離子共振結構的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
（1）在襯底上利用納米壓印技術、電子束曝光技術或聚焦離子束刻蝕工藝，制備得到包括二維光柵型掩膜的襯底；
（2）將包括二維光柵型掩膜的襯底浸入KOH水溶液中進行各向異性濕法腐蝕，得包括二維光柵型掩膜的V型結構襯底；
（3）將包括二維光柵型掩膜的V型結構襯底的光柵型掩膜去除，得具有V型結構的襯底；
（4）利用磁控濺射鍍膜工藝在具有V型結構的襯底上蒸鍍一層金屬膜，即得。
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