[發(fā)明專利]旋轉(zhuǎn)異形靶陰極機構(gòu)及磁控濺射鍍膜裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310192574.9 | 申請日: | 2013-05-22 |
| 公開(公告)號: | CN103409725A | 公開(公告)日: | 2013-11-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉國利;范振華 | 申請(專利權(quán))人: | 東莞宏威數(shù)碼機械有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/35 | 分類號: | C23C14/35 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202 | 代理人: | 張艷美;郝傳鑫 |
| 地址: | 523000 廣東省東莞市南城*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 旋轉(zhuǎn) 異形 陰極 機構(gòu) 磁控濺射 鍍膜 裝置 | ||
1.一種旋轉(zhuǎn)異形靶陰極機構(gòu),設(shè)置于磁控濺射鍍膜裝置的旋轉(zhuǎn)陰極腔體內(nèi),其特征在于:包括支撐桿、磁鋼部件、靶管及靶材,所述支撐桿固定連接于所述所述旋轉(zhuǎn)陰極腔體內(nèi),所述磁鋼部件呈密封設(shè)置并連接于所述支撐桿上,且所述磁鋼部件相對于豎直方向偏離設(shè)置,所述靶管轉(zhuǎn)動地套設(shè)于所述支撐桿及所述磁鋼部件外,所述靶管內(nèi)的空隙形成冷卻水通道,所述靶材設(shè)于所述靶管外,且所述靶材呈異形靶面結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的旋轉(zhuǎn)異形靶陰極機構(gòu),其特征在于:所述靶材的兩端形成有錐形臺階,從而使所述靶材呈異形靶面結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求1所述的旋轉(zhuǎn)異形靶陰極機構(gòu),其特征在于:還包括一橡膠材質(zhì)的連接座,所述連接座的一端卡合于所述支撐桿上,所述磁鋼部件連接于所述連接座的另一端,所述連接座與所述靶管之間的空隙形成所述冷卻水通道。
4.如權(quán)利要求3所述的旋轉(zhuǎn)異形靶陰極機構(gòu),其特征在于:所述連接座上開設(shè)有相連通的第一卡槽及第二卡槽,所述第一卡槽與所述支撐桿相對應,所述第二卡槽與所述磁鋼部件相對應,所述第一卡槽卡合于所述支撐桿上,所述磁鋼部件卡合于所述第二卡槽內(nèi)。
5.如權(quán)利要求1所述的旋轉(zhuǎn)異形靶陰極機構(gòu),其特征在于:還包括密封體,所述密封體呈全密封地焊接于所述磁鋼部件外。
6.如權(quán)利要求1所述的旋轉(zhuǎn)異形靶陰極機構(gòu),其特征在于:所述磁鋼部件相對于豎直方向偏離8度。
7.一種磁控濺射鍍膜裝置,包括旋轉(zhuǎn)陰極腔體、真空腔體、驅(qū)動機構(gòu)及兩旋轉(zhuǎn)異形靶陰極機構(gòu),所述旋轉(zhuǎn)陰極腔體與所述真空腔體密封連接從而形成濺鍍室,所述旋轉(zhuǎn)陰極腔體與所述真空腔體之間設(shè)置有供基片進出的入口及出口,且所述真空腔體與抽真空系統(tǒng)連接,兩所述旋轉(zhuǎn)異形靶陰極機構(gòu)均設(shè)置于所述旋轉(zhuǎn)陰極腔體內(nèi),所述驅(qū)動機構(gòu)設(shè)置于所述轉(zhuǎn)陰極腔體外,其特征在于:所述旋轉(zhuǎn)異形靶陰極機構(gòu)如權(quán)利要求1-6任一項所述,且兩所述旋轉(zhuǎn)異形靶陰極機構(gòu)的磁鋼部件相向偏離,兩所述旋轉(zhuǎn)異形靶陰極機構(gòu)的靶管可相對轉(zhuǎn)動。
8.如權(quán)利要求7所述的磁控濺射鍍膜裝置,其特征在于:所述濺鍍室內(nèi)還設(shè)置有傳輸機構(gòu),所述傳輸機構(gòu)與所述入口、所述出口相對應并位于兩所述旋轉(zhuǎn)異形靶陰極機構(gòu)的下方,所述傳輸機構(gòu)用于傳輸基片。
9.如權(quán)利要求7所述的磁控濺射鍍膜裝置,其特征在于:還包括兩布氣管,兩所述布氣管分別設(shè)置于兩所述旋轉(zhuǎn)異形靶陰極機構(gòu)的兩側(cè),且所述布氣管的軸向與所述支撐桿的軸向一致,所述布氣管的中心處設(shè)置有進氣口,所述布氣管上還間隔地開設(shè)有若干布氣孔,且沿所述進氣口至所述布氣管兩端的方向上,相鄰兩所述布氣孔間的孔間距逐漸變小。
10.如權(quán)利要求7所述的磁控濺射鍍膜裝置,其特征在于:還包括兩沿所述支撐桿的軸向設(shè)置的屏蔽板,兩所述屏蔽板分別設(shè)置于兩所述旋轉(zhuǎn)異形靶陰極機構(gòu)的兩側(cè)。
11.如權(quán)利要求7所述的磁控濺射鍍膜裝置,其特征在于:所述旋轉(zhuǎn)陰極腔體的一端還設(shè)置有支撐座,所述支撐桿的一端固定連接于所述支撐座上。
12.如權(quán)利要求11所述的磁控濺射鍍膜裝置,其特征在于:還包括旋轉(zhuǎn)頭,所述旋轉(zhuǎn)頭轉(zhuǎn)動地設(shè)置于所述支撐座上,且所述旋轉(zhuǎn)頭的一端與所述靶管的一端固定連接,所述旋轉(zhuǎn)頭的另一端與所述驅(qū)動機構(gòu)相連接,且所述旋轉(zhuǎn)頭與所述支撐座之間通過磁流體密封。
13.如權(quán)利要求12所述的磁控濺射鍍膜裝置,其特征在于:所述旋轉(zhuǎn)陰極腔體的另一端還設(shè)置有支撐塊,所述靶管的另一端通過軸承連接于所述支撐塊上。
14.如權(quán)利要求12所述的磁控濺射鍍膜裝置,其特征在于:所述驅(qū)動機構(gòu)的輸出軸通過帶輪與所述旋轉(zhuǎn)頭連接,用于驅(qū)動所述旋轉(zhuǎn)頭轉(zhuǎn)動。
15.如權(quán)利要求7所述的磁控濺射鍍膜裝置,其特征在于:所述旋轉(zhuǎn)陰極腔體外還設(shè)置有冷卻水管,所述冷卻水管與所述冷卻水通道相連通。
16.如權(quán)利要求7所述的磁控濺射鍍膜裝置,其特征在于:所述旋轉(zhuǎn)陰極腔體外還設(shè)置有控制面板。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





