[發明專利]修復介質K值的方法有效
| 申請號： | 201310192549.0 | 申請日： | 2013-05-22 |
| 公開（公告）號： | CN104183541B | 公開（公告）日： | 2017-03-01 |
| 發明（設計）人： | 王宗濤;周鳴 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所31219 | 代理人： | 李儀萍 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 修復 介質 方法 | ||
1.一種修復介質K值的方法，其特征在于，所述修復介質K值的方法至少包括以下步驟：
1）提供一基板，在所述基板上形成介質層；
2）在所述介質層中刻蝕出若干凹槽，并進行清洗去除刻蝕殘留物；
3）采用微波照射刻蝕后的介質層。
2.根據權利要求1所述的修復介質K值的方法，其特征在于：于所述步驟3）中，所述微波的波長范圍是1.0E-3米~2.5E-1米，功率范圍是50W~5KW，照射時間為10s~10min。
3.根據權利要求1所述的修復介質K值的方法，其特征在于：于所述步驟3）之后還包括在所述凹槽中填充金屬，并去除所述凹槽外多余的金屬直至暴露所述介質層上表面，然后再次采用微波照射所述介質層的步驟。
4.根據權利要求3所述的修復介質K值的方法，其特征在于：再次采用微波照射所述介質層時，所述微波的波長范圍是1.0E-3米~2.5E-1米，功率范圍是50W~5KW，照射時間為10s~10min。
5.根據權利要求3所述的修復介質K值的方法，其特征在于：采用化學機械拋光法去除所述凹槽外多余的金屬。
6.根據權利要求3所述的修復介質K值的方法，其特征在于：所述金屬為Cu、Al或W。
7.根據權利要求1或3所述的修復介質K值的方法，其特征在于：于所述步驟1）中，所述介質層為多孔超低K介質；所述多孔超低K介質滿足K<3或K<2.5。
8.根據權利要求1或3所述的修復介質K值的方法，其特征在于：于所述步驟1）中，所述介質層的材料為碳摻雜氧化物。
9.根據權利要求1或3所述的修復介質K值的方法，其特征在于：于所述步驟2）中，所述清洗包括濕式清洗或干式清洗。
10.根據權利要求1或3所述的修復介質K值的方法，其特征在于：采用微波照射時的氣氛為惰性氣體。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
