[發明專利]一種兼容多種DDR的輸入接收電路有效
| 申請號： | 201310192228.0 | 申請日： | 2013-05-23 |
| 公開（公告）號： | CN103326707A | 公開（公告）日： | 2013-09-25 |
| 發明（設計）人： | 敖海;敖鋼;高專 | 申請（專利權）人： | 蘇州芯動科技有限公司 |
| 主分類號： | H03K19/0185 | 分類號： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 南京蘇科專利代理有限責任公司 32102 | 代理人： | 陸明耀;陳忠輝 |
| 地址： | 215021 江蘇省蘇州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 兼容 多種 ddr 輸入 接收 電路 | ||
1.一種兼容多種DDR的輸入接收電路，其特征在于，包括：
第一NMOS管(MN1)，其柵極接一個偏置電壓，源極接地電位；
第二NMOS管(MN2)，其柵極接上述相同的偏置電壓，源極接地電位；
第三NMOS管(MN3)，其柵極接第一輸入信號(Vref)，源極接第一NMOS管(MN1)的漏極；
第四NMOS管(MN4)，其柵極接第三NMOS管(MN3)的漏極，源極接第一NMOS管(MN1)的漏極，漏極接第三NMOS管(MN3)的漏極；
第五NMOS管(MN5)，其柵極接第二輸入信號(IN)，源極接第二NMOS管(MN2)的漏極；
第一PMOS管(MP1)，其柵極接第一輸入信號(Vref)，源極接電源電壓，漏極接第三NMOS管(MN3)的漏極；
第二PMOS管(MP2)，其柵極接第一PMOS管(MP1)的漏極，源極接電源電壓，漏極接第一PMOS管(MP1)的漏極；
第三PMOS管(MP3)，其柵極接第二PMOS管(MP2)的柵極，源極接電源電壓，漏極接第五NMOS管(MN5)的漏極；
第四PMOS管(MP4)，其柵極接第二輸入信號(IN)，源極接電源電壓，漏極接第三PMOS管(MP3)的漏極。
2.根據權利要求1所述的兼容多種DDR的輸入接收電路，其特征在于：進一步包括：第一反相器(INV1)，其輸入接第四PMOS管(MP4)的漏極，輸出為所述輸入接收電路的輸出信號OUT。
3.根據權利要求1所述的兼容多種DDR的輸入接收電路，其特征在于：所述第五NMOS管(MN5)的寬長比是所述第三NMOS管(MN3)的寬長比和所述第四NMOS管(MN4)的寬長比之和。
4.一種兼容多種DDR的輸入接收電路，其特征在于，包括：
第一NMOS管(MN1)，其柵極接一個偏置電壓，源極接地電位；
第二NMOS管(MN2)，其柵極接上述相同的偏置電壓，源極接地電位；
第三NMOS管(MN3)，其柵極接第一輸入信號(Vref)，源極接第一NMOS管(MN1)的漏極；
第四NMOS管(MN4)，其柵極接第二輸入信號(IN)，源極接第二NMOS管(MN2)的漏極；
第一PMOS管(MP1)，其柵極接第一輸入信號(Vref)，源極接電源電壓，漏極接第三NMOS管(MN3)的漏極；
第二PMOS管(MP2)，其柵極接第一PMOS管(MP1)的漏極，源極接電源電壓，漏極接第一PMOS管(MP1)的漏極；
第三PMOS管(MP3)，其柵極接第二PMOS管(MP2)的柵極，源極接電源電壓，漏極接第四NMOS管(MN4)的漏極；
第四PMOS管(MP4)，其柵極接第二輸入信號(IN)，源極接電源電壓，漏極接第三PMOS管(MP3)的漏極。
5.根據權利要求4所述的兼容多種DDR的輸入接收電路，其特征在于：進一步包括：第一反相器(INV1)，其輸入接第四PMOS管(MP4)的漏極，輸出為所述輸入接收電路的輸出信號OUT。
6.一種兼容多種DDR的輸入接收電路，其特征在于，包括：
第一NMOS管(MN1)，其柵極接一個偏置電壓，源極接地電位；
第二NMOS管(MN2)，其柵極接上述相同的偏置電壓，源極接地電位；
第三NMOS管(MN3)，其柵極接第一輸入信號(Vref)，源極接第一NMOS管(MN1)的漏極；
第四NMOS管(MN4)，其柵極接其漏極并和第三NMOS管(MN3)的漏極相接，源極第一NMOS管(MN1)的漏極；
第五NMOS管(MN5)，其柵極接第四NMOS管(MN4)的柵極，源極接第二NMOS管(MN2)的漏極；
第六NMOS管(MN6)，其柵極接第二輸入信號(IN)，源極接第二NMOS管(MN2)的漏極，漏極接第五NMOS管(MN5)的漏極；
第一PMOS管(MP1)，其柵極接第一輸入信號(Vref)，源極接電源電壓，漏極接第三NMOS管(MN3)的漏極；
第二PMOS管(MP2)，其柵極接第二輸入信號(IN)，源極接電源電壓，漏極接第六NMOS管(MN6)的漏極。
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