[發明專利]一種利用緩沖層優化硅襯底上氮化鈮薄膜超導性能的方法

有效

• 申請號: 201310191941.3
• 申請日: 2013-05-22
• 公開（公告）號: CN103276365A
• 公開（公告）日: 2013-09-04
• 發明（設計）人: 賈小氫;康琳;涂學湊;顧敏;楊小忠;吳培亨
• 申請（專利權）人: 南京大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/06
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 楊林潔

1.一種利用緩沖層優化硅襯底上氮化鈮薄膜超導性能的方法，包括如下步驟：

（1）在高阻硅襯底上，通過磁控濺射六氮五鈮薄膜作為緩沖層；

（2）在真空室中原位磁控濺射氮化鈮薄膜。

2.根據權利要求1所述一種利用緩沖層優化硅襯底上氮化鈮薄膜超導性能的方法，其特征在于：所述六氮五鈮薄膜的厚度為25-100nm。

3.根據權利要求1所述一種利用緩沖層優化硅襯底上氮化鈮薄膜超導性能的方法，其特征在于：所述步驟（1）中，六氮五鈮薄膜的制備條件為：金屬鈮靶的純度為99.999%，靶與襯底的距離為55mm，濺射功率為350W，濺射氣壓為2Pa，濺射過程中氬氣為工作氣體，氮氣作為反應氣體，真空氣壓不大于2×10^-5?Pa，氮氣和氬氣的流速分別為40sccm和10sccm，沉積速率為10nm/min。

4.根據權利要求1所述一種利用緩沖層優化硅襯底上氮化鈮薄膜超導性能的方法，其特征在于：所述步驟（2）中，氮化鈮薄膜的制備條件為：金屬鈮靶的純度為99.999%，靶與襯底的距離為55mm，濺射電流為0.65A，濺射氣壓為0.27Pa，濺射過程中氬氣為工作氣體，氮氣作為反應氣體，真空氣壓不大于2×10^-5?Pa，氮氣和氬氣的流速分別為5sccm和40sccm，沉積速率為48nm/min。

5.根據權利要求2所述一種利用緩沖層優化硅襯底上氮化鈮薄膜超導性能的方法，其特征在于：所述六氮五鈮薄膜的厚度為40nm。